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6H-SiC 종자 결정을 사용하여 PVT법으로 성장된 AlN 결정 연구

Title
6H-SiC 종자 결정을 사용하여 PVT법으로 성장된 AlN 결정 연구
Translated Title
Crystal structure investigation of AlN crystal grown on 6H-SiC seed by a physical vapor transport method
Authors
신희원이동훈김황주박미선장연숙이원재김정곤정성민이명현서원선
Issue Date
2016
Citation
한국결정성장학회지, 26(1), 49-52
Type
Article
Keywords
Aluminum nitrideAlNPVT (Physical Vapor Transport)Growth pressureGrowth temperature
ISSN
1225-1429
Abstract
본 연구에서는 AlN 결정 성장시 중요한 공정변수 중의 하나인 성장 압력과 온도 조건에 따라 다르게 성장되는AlN 결정상의 결과에 대하여 고찰하였다. AlN 결정 성장은 6H-SiC 종자 결정을 사용하여 PVT(Physical Vapor Transport) 법을 적용하여 성장시켰다. 성장 압력과 온도에 따라 AlN 결정의 특성이 변화하였고, Raman 분석을 통해 다양한 방향을갖는 AlN 결정이 SiC 종자 결정 위에 성장되는 것을 확인하였다.
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/4889
DOI
10.6111/JKCGCT.2016.26.1.049
Publisher
한국결정성장학회
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Collection:
ETC1. Journal Articles


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