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고품질 4H-SiC 단결정 성장을 위한 다공성 흑연 판의 역할

Title
고품질 4H-SiC 단결정 성장을 위한 다공성 흑연 판의 역할
Translated Title
The role of porous graphite plate for high quality SiC crystal growth by PVT method
Authors
전명철이시현김정곤이희준이희태신희원박미선장연숙이원재여임규은태희김장열
Issue Date
2015
Citation
한국결정성장학회지, 25(2), 51-55
Type
Article
Keywords
PVT4H-SiCPorous graphiteCrystal qualityPolytype stabilization
ISSN
1225-1429
Abstract
본 연구에서는 PVT법으로 4H-SiC 단결정 성장 시 다공성 흑연판을 사용하여 Si/C 비율이나 온도구배, 물질전달의 향상시킴으로써 고품질의 SiC 단결정 기판 제작을 목적으로 연구를 진행하였다. 연구에 사용된 SiC 소스 물질은 흑연도가니에 넣어 흑연 단열재로 쌓인 구조로 실험을 하였다. 성장온도는 2100~2300oC, 그리고 성장압력은 10~30 Torr의 압력으로 아르곤과 질소 분위기에서 성장시켰다. 종자정은 2인치의 4o off-axis 4H-SiC의 C면 (000-1)을 사용하였고 다공성 흑연판은 SiC 소스 물질 위에 삽입하였다. 4H-SiC 결정다형 안정화를 위한 C-rich 조건이나 균일한 온도구배를 만들어주기 위해 다공성 흑연판을 삽입하여 실험을 진행하였다. 일반적인 도가니의 경우, 성장된 wafer에서 6H-, 15R-SiC와 같은 다양한결정다형이 관찰된 반면에 다공성 흑연판을 삽입한 도가니에서는 4H-SiC만 관찰되었다. 또한 다공성 흑연판을 삽입한 도가니에서 성장된 결정에서 MP나 EP의 낮은 결함밀도를 보였으며 결정성 또한 향상된 것을 학인하였다.
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/4902
DOI
10.6111/JKCGCT.2015.25.2.051
Publisher
한국결정성장학회
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Collection:
ETC1. Journal Articles


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