https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/123 2026-04-04T15:35:15Z 2026-04-04T15:35:15Z 신연재 이정협 강홍기 위정윤 장재은 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/59195 2025-11-18T06:10:14Z

Title: ELECTRICAL STIMULATION DEVICE HAVING WIDE RANGE OF OPERATING VOLTAGE Author(s): 신연재; 이정협; 강홍기; 위정윤; 장재은 Abstract: Disclosed is an electrical stimulation circuit having a wide range of operating voltage while exhibiting excellent power efficiency. The disclosed electrical stimulation circuit includes a bias circuit comprising an NMOS transistor or a PMOS transistor. The bias circuit enables the transistors to operate at a stable voltage even when the operating voltage varies above or below a threshold value. The electrical stimulation circuit has a wide range of operating voltage while exhibiting excellent power efficiency, and occupies a small area, thereby being advantageous for miniaturization.

유민지 장재은 최원혁 표고은 박동혁 박희창 이정훈 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/59160 2025-11-30T17:40:43Z

Title: 수직 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 Author(s): 유민지; 장재은; 최원혁; 표고은; 박동혁; 박희창; 이정훈 Abstract: 본 발명의 다양한 실시예에 따른 수직 박막 트랜지스터는, 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 배치되는 제1 절연층; 상기 제1 절연층 상에 배치되고 홀을 포함하는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되는 채널층; 및 상기 채널층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 홀을 포함하는 제2 절연층을 포함할 수 있다. 본 발명의 다양한 실시예에 따른 수직 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 내장 마스크를 포함하는 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 홀을 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계; 및 상기 기판 상에 홀을 포함하는 제2 절연층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

김소희 허수진 장현우 최기순 장재은 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/58777 2025-07-29T07:10:16Z

Title: Vacuum tunneling device and method of manufacturing same Author(s): 김소희; 허수진; 장현우; 최기순; 장재은 Abstract: The invention provides a vacuum tunneling device and a method for manufacturing the same. The method comprises the following steps: forming a tunneling device on a substrate; forming an insulating interlayer on the substrate, wherein the insulating interlayer is provided with an opening for exposing the tunneling device; and performing a tilted deposition process in the vacuum chamber to form a sealing layer on the insulating interlayer such that the sealing layer fills an upper portion of the opening.

장정균 장재은 김중현 이정협 최기순 강홍기 진경환 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/58534 2025-07-25T02:45:48Z

Title: 촉각 재현 장치 및 이의 구동 방법 Author(s): 장정균; 장재은; 김중현; 이정협; 최기순; 강홍기; 진경환 Abstract: 본 개시의 일 실시 예에 따른 촉각을 재현하는 방법은, 이미지 센서, 소정 간격 이격된 복수의 미세전극들로 구성된 전기자극모듈 및 프로세서를 포함하는 촉각 재현 장치에 기초하여 전기 촉각을 재현하는 방법에 있어서, 상기 이미지 센서로부터 획득한 지문 이미지에 기반하여 제1 손가락을 확인하는 단계, 상기 제1 손가락의 지문에 대응하여 자극을 가하도록 결정된 자극 위치 정보를 포함하는 제1 자극 맵을 확인하는 단계, 상기 제1 자극 맵에 기반하여 상기 복수의 미세전극들 중 상기 제1 손가락에 자극을 가할 복수의 제1 자극 전극들을 결정하는 단계, 및 상기 복수의 제1 자극 전극들에 자극 인가용 전기 신호를 인가하는 단계를 포함할 수 있다.