https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/41 2026-05-25T09:38:46Z 2026-05-25T09:38:46Z 홍정일 김태환 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/60313 2026-04-30T17:10:18Z

Title: 전기 활성 및 제어가 가능한 자성 나노 복합체 및 이의 제조방법 Author(s): 홍정일; 김태환

홍정일 윤성수 최원창 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/58991 2025-08-31T17:10:14Z

Title: 자기 구조 제어 자성 소재 및 이의 응용 소자 제조 방법 Author(s): 홍정일; 윤성수; 최원창 Abstract: 본 개시는 중금속 층에 외부 전류를 인가함에 따라 강자성층의 스핀 정렬구조를 평행한 배열에서 비선형 정렬 구조로 인위적으로 제어할 수 있는 자성 소재를 제공한다. 본 개시의 일 실시예에 따른 자성 소재는 기판; 상기 기판 상에 형성된 제2 반강자성층; 상기 제2 반강자성층 상에 형성된 강자성층; 상기 강자성층 상에 형성된 제1 반강자성층; 및 상기 제1 반강자성층 사에 형성된 중금속층; 을 포함하고, 상기 중금속층에 인가하는 외부 전류를 제어하여 상기 강자성층의 자기 배열을 제어하는 것인, 자성 소재 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

홍정일 김현중 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/13049 2025-11-30T17:41:24Z

Title: 교환 바이어스 필드 설정방법 Author(s): 홍정일; 김현중 Abstract: 본 발명에 따른 교환 바이어스 필드 설정방법은 서로 접하여 계면을 이루는 강자성체층과 반강자성체층의 자성 적층체; 및 상기 자성 적층체의 상부 또는 하부에 위치하는 압전체층;을 포함하는 헤테로구조체에 교류 전기장 및 외부 자기장을 인가하여 교환 바이어스 필드를 설정한다.

한희성 홍정일 임미영 이기석 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/12203 2025-08-31T17:41:43Z

Title: 스커미온 형성을 위한 메탈 구조물, 메탈 구조물 내 스커미온 형성 방법 Author(s): 한희성; 홍정일; 임미영; 이기석 Abstract: 본 발명은 메탈 구조물 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 헤비메탈층(Heavy Metal layer); 상기 헤비메탈층 상에 형성되는 강자성층(Ferromagnetic layer); 및 상기 강자성층 상에 형성되는 반강자성층(Anti-Ferromagnetic layer)을 포함하고, 상기 반강자성층은 상기 강자성층과 접합되어 있는 제1 영역과 상기 강자성층과 접합되어 있지 않은 제2 영역을 포함하는 것을 특징으로 한다.