https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/461 2026-04-04T10:01:28Z 2026-04-04T10:01:28Z 최병대 우성호 조귀정 김영규 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/8897 2025-07-24T07:32:01Z 2007-12-26T15:00:00Z

Title: 도핑된 정공 전달층 및 이를 이용한 유기전계 발광소자 Author(s): 최병대; 우성호; 조귀정; 김영규 Abstract: 본 발명은 기판; 상기 기판 위에 형성된 제1전극; 상기 제1전극과 대향되어 배치된 제2전극; 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 개재되며, 적어도 발광층 및 정공 전달층을 포함하는 유기층;을 포함하는 유기전계 발광소자로서, 상기 정공 전달층이 그 매트릭스와 이온결합에 의한 영구쌍극자 형성이 가능한 도펀트를 포함하는 유기전계 발광소자를 제공한다. 본 발명에 따른 정공 전달층을 포함하는 유기전계 발광소자는 매트릭스 물질과 도펀트 물질 사이에 이온결합을 가져 영구쌍극자를 형성하므로 향상된 p형 도핑 특성을 나타내며, 장시간 구동시 안정한 특성을 나타낸다. 또한 정공 전달층 형성시 기존의 방법에 의하면 용액 상태화한 고분자나 유기염(salt)을 만들어 스핀코팅 등의 방법으로 형성하므로 재료 준비의 어려움 및 공정상에서 용액공정과 진공공정을 반복하는 어려움이 있었으나, 본 발명에서는 동일한 진공증착에 의해 형성할 수 있으므로 제조공정상의 큰 제약을 받지 않고 대량 생산 적용이 가능하다.

2007-12-26T15:00:00Z 성시준 김대환 강진규 손대호 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/8885 2025-07-24T07:30:47Z 2009-07-16T15:00:00Z

Title: 비휘발성 저항 메모리소자 및 이의 제조방법 Author(s): 성시준; 김대환; 강진규; 손대호 Abstract: 본 발명의 실시예는, 기판 상에 위치하는 하부전극과, 하부전극 상에 위치하며 IGZO(InGaZnO)를 포함하는 반도체 박막과, 반도체 박막 상에 위치하는 상부전극을 포함하는 저항 메모리소자; 및 저항 메모리소자의 저항값을 변화시키는 박막 트랜지스터를 포함하는 비휘발성 저항 메모리소자를 제공한다.

2009-07-16T15:00:00Z 강진규 심교승 성시준 김효정 조효정 김대환 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/8846 2025-07-24T07:30:19Z 2011-09-22T15:00:00Z

Title: 티엔오-퀸옥살린을 포함하는 화합물, 이를 함유하는 유기염료 및 상기 유기염료를 포함하는 염료감응태양전지 Author(s): 강진규; 심교승; 성시준; 김효정; 조효정; 김대환 Abstract: 본 발명은 태양전지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 염료감응태양전지에 관한 것이다. 종래의 염료감응태양전지용 염료의 경우 가격이 비싸고 재료 합성 측면에서 구조적인 발전 가능성이 작고, 흡광계수의 개발 한계라는 문제점이 있었다. 이에 본 발명은 빠른 전자이동을 위해 전자수용체(electron acceptor) 역할이 강한 티엔오-퀸옥살린을 함유하는 유기염료 및 이의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 신규한 티엔오-퀸옥산린을 함유하는 유기염료를 제공하는 것으로, 티엔오 퀸옥살린을 포함하고 있으며 대칭적으로 헤테로 방향족이나 방향족 화합물을 하나 이상 포함하고 있고 전자수용체가 하나이상 포함된 태양전지용 염료화합물을 제공한다.

2011-09-22T15:00:00Z 조효정 강진규 심교승 성시준 김효정 김대환 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/8835 2025-07-24T07:31:16Z 2011-05-11T15:00:00Z

Title: 염료감응 태양전지 및 그의 제조방법 Author(s): 조효정; 강진규; 심교승; 성시준; 김효정; 김대환 Abstract: 본 발명은 빛의 입사에 따라 생성된 여기전자를 외부로 공급하는 광전극부, 외부로부터 전자가 유입되는 금속막과, 상기 금속막 상에 위치하여 전자의 이동을 위한 환원을 촉진하는 촉매층을 포함하는 상대전극부 및 상기 광전극부와 상기 상대전극부 사이에 위치하여 산화/환원 반응을 통하여 상기 상대전극부로부터 전자를 받아 상기 광전극부로 전자를 전달하는 전해질을 포함한다.

2011-05-11T15:00:00Z