https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/10161 2026-04-04T09:05:35Z https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/59882 Title: LC회로를 이용한 위상절연 양자메모리 Author(s): 브라이언 B. 조; 김영욱; 정민경 Abstract: 본 발명은 LC회로를 이용한 위상절연 양자메모리에 관한 것이다. 본 발명의 목적은, 위상절연에 의한 영에너지 상태를 이용하여 양자정보를 저장 및 회수할 수 있도록 하는, LC회로를 이용한 위상절연 양자메모리를 제공함에 있다. 보다 상세하게는, 초전도체 기판으로 이루어지는 LC회로 격자를 이용하여 위상상태(topological state) 원자체인을 모사구현하고, 이를 양자정보를 저장하는 구조로서 활용하는, LC회로를 이용한 위상절연 양자메모리를 제공함에 있다. https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/59867 Title: 폴리아닐린 나노입자 및 텔루륨화 비스무트 입자를 포함하는 유무기 복합열전재료 및 이의 제조방법 Author(s): 김참 Abstract: 본 발명은 Bi2Te3 입자; 및 상기 Bi2Te3 입자의 표면에 위치하며, Bi2Te3 입자와 물리적으로 결합된 폴리아닐린 나노입자;를 포함하는 유무기 복합열전재료 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 전기전도도와 제벡계수를 동시에 향상시킴에 따라 열전 성능을 현저하게 향상시킬 수 있다. https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/59298 Title: 희토류 영구자석의 제조 방법 및 이를 통하여 제조된 희토류 영구자석 Author(s): 이동현; 노종욱; 김정민; 김동환 Abstract: 본 발명은 희토류 영구자석의 제조 방법 및 이를 통하여 제조된 희토류 영구자석을 개시한다. 본 발명은 적어도 하나 이상의 저융점 물질 및 중희토 물질을 함유하는 중희토 합금을 제조하는 단계; 상기 중희토 합금을 1차 분쇄하는 단계; 상기 1차 분쇄된 중희토 합금을 2차 분쇄하는 단계; 상기 2차 분쇄된 중희토 합금을 3차 분쇄하는 단계; 및 상기 3차 분쇄된 중희토 합금을 용매와 혼련하여 중희토 합금 슬러리를 제조하는 단계; 상기 중희토 합금 슬러리를 희토류 자석 소결체의 표면에 도포하는 단계; 및 상기 중희토 합금 슬러리가 도포된 희토류 자석 소결체를 열처리하여 상기 중희토 물질을 상기 희토류자석 소결체의 내부로 확산시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/59254 Title: 기판 처리 장치 Author(s): 김준우; 김준서 Abstract: 본 발명의 일 실시예는, 외관을 형성하는 외부 하우징, 외부 하우징과 상대 회전이 가능하도록 외부 하우징의 내부에 삽입되며, 피처리물이 안착되는 안착부를 포함하는 내부 하우징, 외부 하우징에 배치되며 피처리물의 표면에 박막을 형성시키는 스퍼터부 및 내부 하우징이 회전 가능하도록 구동력을 제공하는 구동부를 포함하며, 안착부는 내부 하우징의 외주면에서 내부 하우징의 중심을 향하여 오목한 홈부의 형상으로 형성되는 기판 처리 장치를 제공한다.