https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/41 2026-04-04T13:56:39Z https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/58991 Title: 자기 구조 제어 자성 소재 및 이의 응용 소자 제조 방법 Author(s): 홍정일; 윤성수; 최원창 Abstract: 본 개시는 중금속 층에 외부 전류를 인가함에 따라 강자성층의 스핀 정렬구조를 평행한 배열에서 비선형 정렬 구조로 인위적으로 제어할 수 있는 자성 소재를 제공한다. 본 개시의 일 실시예에 따른 자성 소재는 기판; 상기 기판 상에 형성된 제2 반강자성층; 상기 제2 반강자성층 상에 형성된 강자성층; 상기 강자성층 상에 형성된 제1 반강자성층; 및 상기 제1 반강자성층 사에 형성된 중금속층; 을 포함하고, 상기 중금속층에 인가하는 외부 전류를 제어하여 상기 강자성층의 자기 배열을 제어하는 것인, 자성 소재 및 이의 제조방법에 관한 것이다. https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/13049 Title: 교환 바이어스 필드 설정방법 Author(s): 홍정일; 김현중 Abstract: 본 발명에 따른 교환 바이어스 필드 설정방법은 서로 접하여 계면을 이루는 강자성체층과 반강자성체층의 자성 적층체; 및 상기 자성 적층체의 상부 또는 하부에 위치하는 압전체층;을 포함하는 헤테로구조체에 교류 전기장 및 외부 자기장을 인가하여 교환 바이어스 필드를 설정한다. https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/12203 Title: 스커미온 형성을 위한 메탈 구조물, 메탈 구조물 내 스커미온 형성 방법 Author(s): 한희성; 홍정일; 임미영; 이기석 Abstract: 본 발명은 메탈 구조물 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 헤비메탈층(Heavy Metal layer); 상기 헤비메탈층 상에 형성되는 강자성층(Ferromagnetic layer); 및 상기 강자성층 상에 형성되는 반강자성층(Anti-Ferromagnetic layer)을 포함하고, 상기 반강자성층은 상기 강자성층과 접합되어 있는 제1 영역과 상기 강자성층과 접합되어 있지 않은 제2 영역을 포함하는 것을 특징으로 한다. https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/12194 Title: 스커미온 메모리 소자 Author(s): 유천열; 김준서; 홍정일 Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 스커미온 메모리 소자는, 제1 방향으로 연장되는 제1 전류인가패턴; 상기 제1 전류인가패턴과 동일한 배치평면에서 배치되고 상기 제1 전류인가패턴의 일단에서 제1 방향을 가로지는 제2 방향으로 연장되는 제2 전류 인가패턴; 상기 제1 전류인가패턴 상에 배치된 스커미온 형성층; 상기 스커미온 형성층 상에 정렬되어 배치된 터널 베리어층; 및 상기 터널 베리어층 상에 정렬되어 배치된 고정 자성층을 포함한다. 상기 제1 전류인가패턴에 흐르는 면내 쓰기 전류는 상기 스커미온 형성층에 스커미온을 형성하고, 상기 제2 전류인가패턴에 흐르는 면내 지우기 전류는 상기 스커미온 형성층에 생성된 스커미온을 제거한다.