<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rdf:RDF xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#" xmlns="http://purl.org/rss/1.0/" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
  <channel rdf:about="https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/822">
    <title>Repository Collection: null</title>
    <link>https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/822</link>
    <description />
    <items>
      <rdf:Seq>
        <rdf:li rdf:resource="https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/57183" />
        <rdf:li rdf:resource="https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/47611" />
        <rdf:li rdf:resource="https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/45936" />
      </rdf:Seq>
    </items>
    <dc:date>2026-04-04T14:59:06Z</dc:date>
  </channel>
  <item rdf:about="https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/57183">
    <title>단결정 산화물 박막의 전사 방법 및 이의 응용</title>
    <link>https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/57183</link>
    <description>Title: 단결정 산화물 박막의 전사 방법 및 이의 응용
Author(s): 이신범; 이기수; 정욱기; 김동하
Abstract: 본 발명은 단결정 산화물 박막의 전사 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (a) 제1 기판 위에 화학 안정성을 가지는 용매에 용해되는 희생층을 형성하는 단계, (b) 상기 희생층 위에 단결정 산화물 박막을 성장시켜 적층체를 형성하는 단계, (c) 상기 적층체를 용매에 담금에 따라 상기 용매 내에서 상기 희생층을 용해하여 상기 제1 기판과 상기 단결정 산화물 박막을 분리하는 단계, 및 (d) 제2 기판을 상기 용매에 담근 후 들어 올리면서 용매 위에 부유된 상기 단결정 산화물 박막을 떠올려 제2 기판 상에 전사하는 단계를 포함하는 것으로, 특정 단결정 기판 위에 성장된 단결정 산화물 박막을 유연 기판 혹은 결정성에 관계없는 기판 위에 전사하여 기능성 소자를 제조할 수 있는 단결정 산화물 박막의 전사 방법에 관한 것이다.</description>
  </item>
  <item rdf:about="https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/47611">
    <title>페로브스카이트 전도체를 포함하는 투명 전도성 세라믹 적층체</title>
    <link>https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/47611</link>
    <description>Title: 페로브스카이트 전도체를 포함하는 투명 전도성 세라믹 적층체
Author(s): 이기수; 하영경; 이신범; 정욱기
Abstract: 본 발명은 세라믹 기재, 상기 세라믹 기재 상부에 형성되는 켜쌓기(epitaxy) 템플릿 층 및 상기 템플릿 층 상부에 형성되는 페로브스카이트(perovskite) 투명 전도체 층을 포함하는 페로브스카이트 전도체를 포함하는 투명 전도성 세라믹 적층체로서, 본 발명에 의하면, 일반적인 광학용 기판 위에서 쌓아서 페로브스카이트 투명 전도체 박막을 켜쌓기할 수 있다.</description>
  </item>
  <item rdf:about="https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/45936">
    <title>강상관전자계를 이용한 적외선 투과 전도체 및 그 제조방법</title>
    <link>https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/45936</link>
    <description>Title: 강상관전자계를 이용한 적외선 투과 전도체 및 그 제조방법
Author(s): 최송희; 이신범; 하영경; 이기수
Abstract: 본 발명은, 강상관전자계를 이용한 적외선 투과 전도체 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 적외선 투과 전도체는, 전이금속 산화물을 포함하는 강상관전자계 산화물을 포함한다.</description>
  </item>
</rdf:RDF>

