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    <title>Repository Collection: null</title>
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    <pubDate>Sat, 04 Apr 2026 09:04:22 GMT</pubDate>
    <dc:date>2026-04-04T09:04:22Z</dc:date>
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      <title>트리플루오로아세토페논 유도체 및 이를 이용한 ＳＰＲ에의한 카보네이트 이온의 선택적 측정방법</title>
      <link>https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/8962</link>
      <description>Title: 트리플루오로아세토페논 유도체 및 이를 이용한 ＳＰＲ에의한 카보네이트 이온의 선택적 측정방법
Author(s): 전원배; 손영수; 이수근; 류홍근; 정상원; 김현철
Abstract: 본 발명은 다음 화학식 1 또는 화학식 2의 트리플루오로아세토페논 유도체에 관한 것이다: 화학식 1  화학식 2  또한, 본 발명은 상기 유도체가 표면 코팅된 고체 기질 및 이를 이용한 카보네이트 이온의 측정방법에 관한 것이다.</description>
      <pubDate>Thu, 21 Dec 2006 15:00:00 GMT</pubDate>
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      <dc:date>2006-12-21T15:00:00Z</dc:date>
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      <title>이종 프로토콜 통신에서 병렬 메시지를 처리하는 방법 및 장치</title>
      <link>https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/8950</link>
      <description>Title: 이종 프로토콜 통신에서 병렬 메시지를 처리하는 방법 및 장치
Author(s): 박세권; 조희섭
Abstract: 본 발명은 이종 프로토콜 통신에서 병렬 메시지를 처리하는 방법 및 장치를 개시하고 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 이종 프로토콜 통신에서 병렬 메시지를 처리하는 방법은 이종의 프로토콜을 사용하는 노드들 간에 메시지를 교환함에 있어서, 제 1 프로토콜을 사용하는 제 1 노드로부터 제 1 메시지를 수신하는 단계, 상기 제 1 메시지에서 송신할 데이터를 추출하여 제 1 프로토콜을 사용하는 하나 이상의 노드들에 할당된 제 1 메모리 영역의 제 1 주소 영역에 저장하는 단계, 룩업 테이블을 이용하여 제 2 프로토콜을 사용하는 하나 이상의 노드들에 할당된 제 2 메모리 영역의 제 2 주소 정보를 산출하는 단계, 상기 제 1 주소 영역 및 상기 제 2 주소 정보를 이용하여 데이터 송신을 요청하는 단계, 및 상기 데이터를 상기 제 2 주소 영역의 제 2 메모리 영역에 저장한 후, 상기 제 2 프로토콜을 사용하는 제 2 노드에게 상기 제 2 메시지를 송신하는 단계를 포함하며, 상기 제 1 메모리 영역 또는 제 2 메모리 영역에 메시지를 저장하는 것은 다수의 메시지 디스패처에 의해 병렬적으로 수행되는 것을 특징으로 한다.</description>
      <pubDate>Wed, 14 Jul 2010 15:00:00 GMT</pubDate>
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      <dc:date>2010-07-14T15:00:00Z</dc:date>
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      <title>전계효과트랜지스터를 이용한 바이오센서</title>
      <link>https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/8938</link>
      <description>Title: 전계효과트랜지스터를 이용한 바이오센서
Author(s): 류홍근; 전원배
Abstract: 본 발명은 FET형 바이오센서에 관한 것이다. 상기 FET형 바이오센서는, 소스, 드레인, 게이트 영역이 형성된 반도체 기판, 상기 소스, 상기 드레인, 상기 게이트 전극과 각각 연결되는 다수 개의 금속 배선층, 상기 게이트 전극과 상기 금속 배선층들 간의 전기적 절연을 위하여 형성되는 절연층, 소자를 보호하기 위하여 상기 절연층의 표면에 형성하는 소자 보호막, 상기 소자 보호막 및 상기 절연층을 개재하여 상기 게이트 전극의 상부에 형성되는 금속 박막, 상기 금속 박막위에 형성되는 자기조립 단분자막을 구비한다. 상기 금속 박막과 상기 게이트 전극의 사이의 절연층 및 소자 보호막에 하나 또는 다수개의 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀의 내부에는 전기전도성 물질을 충진하여 상기 금속 박막과 상기 게이트 전극을 전기적 연결시킨다.</description>
      <pubDate>Thu, 18 Oct 2007 15:00:00 GMT</pubDate>
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      <dc:date>2007-10-18T15:00:00Z</dc:date>
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      <title>도핑된 정공 전달층 및 이를 이용한 유기전계 발광소자</title>
      <link>https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/8897</link>
      <description>Title: 도핑된 정공 전달층 및 이를 이용한 유기전계 발광소자
Author(s): 최병대; 우성호; 조귀정; 김영규
Abstract: 본 발명은 기판; 상기 기판 위에 형성된 제1전극; 상기 제1전극과 대향되어 배치된 제2전극; 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 개재되며, 적어도 발광층 및 정공 전달층을 포함하는 유기층;을 포함하는 유기전계 발광소자로서, 상기 정공 전달층이 그 매트릭스와 이온결합에 의한 영구쌍극자 형성이 가능한 도펀트를 포함하는 유기전계 발광소자를 제공한다. 본 발명에 따른 정공 전달층을 포함하는 유기전계 발광소자는 매트릭스 물질과 도펀트 물질 사이에 이온결합을 가져 영구쌍극자를 형성하므로 향상된 p형 도핑 특성을 나타내며, 장시간 구동시 안정한 특성을 나타낸다. 또한 정공 전달층 형성시 기존의 방법에 의하면 용액 상태화한 고분자나 유기염(salt)을 만들어 스핀코팅 등의 방법으로 형성하므로 재료 준비의 어려움 및 공정상에서 용액공정과 진공공정을 반복하는 어려움이 있었으나, 본 발명에서는 동일한 진공증착에 의해 형성할 수 있으므로 제조공정상의 큰 제약을 받지 않고 대량 생산 적용이 가능하다.</description>
      <pubDate>Wed, 26 Dec 2007 15:00:00 GMT</pubDate>
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      <dc:date>2007-12-26T15:00:00Z</dc:date>
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