https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/11855 Sat, 04 Apr 2026 15:17:59 GMT 2026-04-04T15:17:59Z https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/60141 Title: 금속 산화물 반도체의 제조방법, 이를 통해 제조된 금속 산화물 반도체(METHOD FOR MANUFACTURING A METAL OXIDE SEMICONDUCTOR AND A METAL OXIDE SEMICONDUCTOR MANUFACTURED THEREBY) Author(s): 권혁준; 김준일; 양규원 Abstract: 본 발명은 금속 산화물 반도체의 전기적 및 광학적 특성을 향상시키기 위한 기술에 관한 것으로, 도핑원소 공급층과의 계면에서 선택적 도핑을 유도하기 위해 레이저 조사 공정을 수행한다. 본 발명은 레이저 파워를 정밀하게 제어함으로써, 도핑원소를 금속 산화물 반도체 내로 선택적으로 확산시켜 p형 전도 특성을 구현하고, 동시에 산소 공공(oxygen vacancy)의 농도 및 밴드 구조를 조절할 수 있도록 한다. 도핑원소가 확산된 금속 산화물 반도체는 정공 캐리어 농도가 증가된 전도 특성을 나타내며, 밸런스된 궤도 혼성화 및 밴드갭 축소를 통해 우수한 정공 이동도와 함께 안정적인 동작을 구현한다. https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/60141 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/59245 Title: 이종접합 구조의 전이금속 디칼코게나이드의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 이종접합 구조의 전이금속 디칼코게나이드 Author(s): 노현열; 김선국; 이지은; 심준오; 권혁준 Abstract: 본 발명은 이종접합 구조의 전이금속 디칼코게나이드의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 이종접합 구조의 전이금속 디칼코게나이드를 개시한다. 본 발명은 기판 상에 제1 칼코겐 물질을 포함하는 칼코겐 박막을 형성하는 단계; 상기 칼코겐 박막 상에 전이금속 박막을 형성하는 단계; 상기 기판에서 전이금속 박막 방향으로 레이저를 조사하여 제1 전이금속 디칼코게나이드 박막을 제조하는 단계; 및 상기 전이금속 박막 상에 제2 칼코겐 물질을 포함하는 반응성 가스를 주입하여 제2 전이금속 디칼코게나이드 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/59245 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/59125 Title: 레이저 유도 그래핀 및 금속 유기 골격체의 하이브리드 구조를 포함하는 가스센서, 및 이의 제조 방법 Author(s): 권혁준; 임형태; 권혁진 Abstract: 가스센서는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 형성된 레이저 유도 그래핀 전극, 및 상기 레이저 유도 그래핀 전극 상에 형성되는 금속 유기 골격체를 포함할 수 있다. 상기 레이저 유도 그래핀 전극은 레이저(Laser)에 의해 상기 베이스 기판 상에 패터닝될 수 있다. 상기 금속 유기 골격체는 상기 레이저 유도 그래핀 전극과 3차원 다공성 구조를 포함하는 하이브리드 구조를 형성할 수 있다. https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/59125 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/59071 Title: N형 도펀트의 도핑 방법 및 이를 이용하여 제조된 N형 도펀트가 도핑된 기판, 이를 이용한 트랜지스터의 제조 방법 및 이를 포함하는 트랜지스터 Author(s): 백승훈; 권혁준 Abstract: 본 발명은 N형 도펀트의 도핑 방법 및 이를 이용하여 제조된 N형 도펀트가 도핑된 기판, 이를 이용한 트랜지스터의 제조 방법 및 이를 포함하는 트랜지스터를 개시한다. 본 발명은 4족 반도체 물질을 포함하는 기판을 준비하는 단계; 및 상기 기판에 N형 도펀트, 주석(Sn) 도펀트 및 보조 도펀트를 공도핑하여 공도핑 영역을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 공도핑 영역을 형성하는 단계는 상기 주석 도펀트 및 보조 도펀트에 의해 상기 공도핑 영역의 상기 N형 도펀트의 농도가 조절되는 것을 특징 으로 한다. https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/59071