https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/251 Thu, 04 Jun 2026 04:20:09 GMT 2026-06-04T04:20:09Z https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/60376 Title: 베타전지용 탄소전극, 이를 포함하는 베타전지 및 이의 제조방법 Author(s): 황윤주; 인수일; 김홍수; 박영호; 김대희 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/60376 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/59857 Title: 대량양극산화 기술을 활용한 다공성 침 제조방법 Author(s): 인수일 Abstract: 본 발명은 대량양극산화 기술을 활용한 다공성 침 제조방법에 관한 것으로, 침을 대량양극산화공정을 이용하여 침의 표면에 다공성 구조를 쉽고 빠르게 형성되도록 하고, 침의 끝부분을 실리콘 코팅처리하여 피부 삽입 시 통증이 적고 인체에 무해한 다공성 침 제조 방법에 관한 것이다. https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/59857 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/58825 Title: NEGATIVE ELECTRODE FOR BETA VOLTAA CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME Author(s): 이준호; 김홍수; 황윤주; 손삼익; 인수일 Abstract: A negative electrode for a beta volt cell and a method of making the negative electrode are described. In the negative electrode, quantum dots including radioisotopes are provided to the radiation absorber so as to be introduced as a beta source. https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/58825 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/58703 Title: Semiconductor memory and method of manufacturing the same Author(s): 김대희; 김홍수; 황윤주; 박영호; 인수일 Abstract: In a semiconductor memory of the invention, the source or drain of a transfer gate MOS transistor is electrically connected to a charge storage first conductive layer through a third conductive layer. https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/58703