https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/4363 Wed, 22 Apr 2026 07:30:27 GMT 2026-04-22T07:30:27Z https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/12292 Title: 파장 선택성 전극을 구비한 유기 광다이오드 Author(s): 정대성; 윤성원 Abstract: 본 발명에 실시예에 따른 유기 광다이오드는, 제1 전극부 상에 배치되는 제1 중간층, 상기 제1 중간층 상에 배치되는 광활성층, 상기 광활성층 상에 배치되는 제2 중간층 및 상기 제2 중간층 상에 배치되는 제2 전극부을 포함한다. 여기서 상기 제2 전극부는, 상기 제2 중간층 상에 배치되는 제1 반사층, 상기 제1 반사층에 마주하는 방향에 배치되는 제2 반사층 및 상기 제1 반사층과 제2 반사층의 이격 간격 사이에 배치되는 광학스페이서를 포함하며, 상기 광학스페이서의 형성두께에 따라 목표 파장을 상기 광활성층 방향으로 제공할 수 있다. https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/12292 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/12285 Title: 저온 용액 공정을 이용한 유기 반도체 고분자 패턴의 제조방법 Author(s): 심규민; 정대성 Abstract: 본 발명은 저온 용액 공정을 이용하여 유기 반도체 고분자 패턴을 제조하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게 기판의 제1영역을 표면처리하여 표면성질을 변화시키고, 유기 반도체 고분자를 포함하는 에멀전을 기판 위에 코팅한 후 알코올로 세척하는 단위 코팅 공정을 통해 유기 반도체 패턴을 제조하는 방법에 관한 것이다. https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/12285 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/12205 Title: 완충층의 표면에너지 제어를 이용한 유기반도체 박막의 표면거칠기 극대화에 기반한 고성능 센서 Author(s): 정대성; 유성훈 Abstract: 본 발명은 완충층의 표면에너지 제어를 이용한 유기반도체 박막의 표면거칠기 극대화에 기반한 고성능 센서에 관한 것으로, 위해, 기판; 기판 상부에 형성되고, 소수성 유기반도체로 구성되는 활성층; 및 기판과 활성층 사이에 형성되고, 소수성 유기반도체의 분자들간 응집에너지보다 작은 활성층-기판간 접착에너지를 유도할 수 있도록, 소수성 유기반도체의 분자들간 응집에너지보다 작은 표면에너지를 갖는 소재로 구성되는 완충층을 포함하는 센서를 제공한다. https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/12205 https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/11485 Title: 소수성 표면의 산화몰리브덴 나노입자를 포함하는 산화몰리브덴 박막 및 이를 포함하는 태양전지 Author(s): 심규민; 정대성 Abstract: 본 발명은 소수성 표면의 산화몰리브덴 나노입자를 포함하는 산화몰리브덴 박막 및 이를 포함하는 태양전지에 관한 것으로, 본 발명에 따른 산화몰리브덴 박막은 산화몰리브덴 나노입자 표면을 소수성으로 개질하여 광활성층 표면과의 계면 결함을 방지하여 접착성을 향상시키며, 상기 산화몰리브덴 박막을 정공수송층으로 사용한 태양전지의 효율을 향상시키고, 종래의 PEDOT:PSS에 의해 광활성층이 부식되는 문제점을 해결할 수 있다. https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/11485