화합물 반도체의 제조장치 및 이를 이용한 화합물 반도체의 제조방법

Abstract

본 발명은 화합물 반도체의 제조장치 및 이를 이용한 화합물 반도체의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 증발원이 가열되지 않는 가열 대기영역 및 증발원이 가열될 수 있는 가열영역을 포함하는 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내에 구비되되, 1종 이상의 VIA족 원소를 포함하는 증발원이 담지되는 증발원 담지부; 상기 반응 챔버 내에서 상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, IB, IIB, IIIA, VA 및 IVA족 원소로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 시편이 표면에 형성된 기판; 상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, 상기 대기영역은 가열하지 않고, 상기 기판을 가열할 수 있도록 상기 가열영역으로 구비되는 가열부; 상기 증발원 담지부에 연결되어 상기 증발원 담지부를 상기 대기영역에서 상기 가열영역으로 이송할 수 있는 이송장치; 상기 반응 챔버 내로 이송가스를 공급하는 이송가스 공급부; 및 상기 반응 챔버 내의 이송가스를 배출하는 이송가스 배출부;를 포함하는 화합물 반도체의 제조장치를 제공한다. 본 발명에 따른 화합물 반도체의 제조장치는 과량의 증발원을 시편과 함께 열처리하는 기존의 방법과 달리, VIA족 원소를 열처리 장치 내부에 순차적으로 그리고 지속적으로 공급함으로써 VIA족 원소의 기화 정도를 일정하게 제어할 수 있으며, 이에 따라 전구체의 균일한 반응을 유도할 수 있는 효과가 있다.