Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최병대 | ko |
| dc.contributor.author | 우성호 | ko |
| dc.contributor.author | 조귀정 | ko |
| dc.contributor.author | 김영규 | ko |
| dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:51:37Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-11T12:51:37Z | - |
| dc.date.issued | 2007-12-27 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8897 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 기판; 상기 기판 위에 형성된 제1전극; 상기 제1전극과 대향되어 배치된 제2전극; 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 개재되며, 적어도 발광층 및 정공 전달층을 포함하는 유기층;을 포함하는 유기전계 발광소자로서, 상기 정공 전달층이 그 매트릭스와 이온결합에 의한 영구쌍극자 형성이 가능한 도펀트를 포함하는 유기전계 발광소자를 제공한다. 본 발명에 따른 정공 전달층을 포함하는 유기전계 발광소자는 매트릭스 물질과 도펀트 물질 사이에 이온결합을 가져 영구쌍극자를 형성하므로 향상된 p형 도핑 특성을 나타내며, 장시간 구동시 안정한 특성을 나타낸다. 또한 정공 전달층 형성시 기존의 방법에 의하면 용액 상태화한 고분자나 유기염(salt)을 만들어 스핀코팅 등의 방법으로 형성하므로 재료 준비의 어려움 및 공정상에서 용액공정과 진공공정을 반복하는 어려움이 있었으나, 본 발명에서는 동일한 진공증착에 의해 형성할 수 있으므로 제조공정상의 큰 제약을 받지 않고 대량 생산 적용이 가능하다. | - |
| dc.title | 도핑된 정공 전달층 및 이를 이용한 유기전계 발광소자 | - |
| dc.title.alternative | A doped hole transporting layer and an organic electroluminescent device employing the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 조귀정 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김영규 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2007-0138861 | - |
| dc.date.application | 2007-12-27 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0890910 | - |
| dc.date.registration | 2009-03-23 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.description.claim | 기판을 제공하는 단계; 및 상기 기판 상에 정공 전달층을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계 발광소자의 제조방법으로서, 상기 정공 전달층이 a-NPB, m-MTDATA, MeO-TPD, 2-TNATA 및 ZnPc로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상의 매트릭스 물질과, 상기 매트릭스 물질과 이온결합에 의한 영구쌍극자 형성이 가능한 도펀트를 동시 진공증착하여 형성되는 유기전계 발광소자의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 기판을 제공하는 단계; 및 상기 기판 상에 정공 전달층을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계 발광소자의 제조방법으로서, 상기 정공 전달층이 a-NPB, m-MTDATA, MeO-TPD, 2-TNATA 및 ZnPc로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상의 매트릭스 물질과, 상기 매트릭스 물질과 이온결합에 의한 영구쌍극자 형성이 가능한 도펀트를 동시 진공증착하여 형성되는 유기전계 발광소자의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 기판을 제공하는 단계; 및 상기 기판 상에 정공 전달층을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계 발광소자의 제조방법으로서, 상기 정공 전달층이 a-NPB, m-MTDATA, MeO-TPD, 2-TNATA 및 ZnPc로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상의 매트릭스 물질과, 상기 매트릭스 물질과 이온결합에 의한 영구쌍극자 형성이 가능한 도펀트를 동시 진공증착하여 형성되는 유기전계 발광소자의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 기판을 제공하는 단계; 및 상기 기판 상에 정공 전달층을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계 발광소자의 제조방법으로서, 상기 정공 전달층이 a-NPB, m-MTDATA, MeO-TPD, 2-TNATA 및 ZnPc로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상의 매트릭스 물질과, 상기 매트릭스 물질과 이온결합에 의한 영구쌍극자 형성이 가능한 도펀트를 동시 진공증착하여 형성되는 유기전계 발광소자의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 기판을 제공하는 단계; 및 상기 기판 상에 정공 전달층을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계 발광소자의 제조방법으로서, 상기 정공 전달층이 a-NPB, m-MTDATA, MeO-TPD, 2-TNATA 및 ZnPc로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상의 매트릭스 물질과, 상기 매트릭스 물질과 이온결합에 의한 영구쌍극자 형성이 가능한 도펀트를 동시 진공증착하여 형성되는 유기전계 발광소자의 제조방법. | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 최병대 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 우성호 | - |
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