Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 양기정 | - |
| dc.contributor.author | 손대호 | - |
| dc.contributor.author | 김대환 | - |
| dc.contributor.author | 강진규 | - |
| dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:53:13Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-11T12:53:13Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8943 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 (1) 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계; (2) 상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 불활성 기체 분위기 하에서 증착시켜 하나 이상의 금속 전구체층을 형성하는 단계; 및 (3) 상기 금속 전구체층을 셀렌화 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하는 CZTSSe계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 열처리는 450℃ 내지 590℃의 온도 하에서 커버를 구비한 챔버 내에서 수행되고, 챔버 내 Se 금속의 함량이 0.197g/mL 내지 0.250g/mL인 조건 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 CZTSSe계 박막 태양전지의 제조 방법에 관한 것이다. | - |
| dc.title | ＣＺＴＳＳｅ계 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 ＣＺＴＳＳｅ계 박막 태양전지 | - |
| dc.title.alternative | PREPARATION METHOD OF CZTSSe-BASED THIN FILM SOLAR CELL AND CZTSSe-BASED THIN FILM SOLAR CELL PREPARED BY THE METHOD | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2014-0150491 | - |
| dc.date.application | 2014-10-31 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1628312 | - |
| dc.date.registration | 2016-06-01 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.description.claim | (1) 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계;(2) 상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 불활성 기체 분위기 하에서 증착시켜 하나 이상의 금속 전구체층을 형성하는 단계; 및(3) 상기 금속 전구체층을 셀렌화 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하는 CZTSSe계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 열처리는 560℃ 내지 590℃의 온도 하 및 700Torr 내지 800Torr의 압력 하에서 커버를 구비한 챔버 내에서 수행되고, 챔버 내 Se 금속의 함량이 0.197g/mL 내지 0.250g/mL인 조건 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 CZTSSe계 박막 태양전지의 제조 방법. | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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- Convergence Research Center for Solar Energy 3. Patents
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