Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 서재화 | - |
| dc.contributor.author | 장환수 | - |
| dc.contributor.author | 조민수 | - |
| dc.contributor.author | 강인만 | - |
| dc.date.accessioned | 2020-02-25T02:49:57Z | - |
| dc.date.available | 2020-02-25T02:49:57Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/11173 | - |
| dc.description.abstract | 반도체 소자 제조방법이 개시된다. 본 반도체 소자 제조방법은, 반도체층을 마련하는 단계, 반도체층을 식각하여, 소스 구조, 드레인 구조 및 소스 구조와 드레인 구조를 연결하는 복수의 채널 구조를 형성하는 단계, 복수의 채널 구조를 덮도록 레지스트를 형성하는 단계, 레지스트에, 게이트 풋 패터닝 및 게이트 헤드 패터닝을 위한 전자빔 노광 공정을 수행하는 단계, 전자빔 노광 공정에 의해 노광된 부분을 제거하여 게이트 풋 패턴과 게이트 헤드 패턴을 형성하는 단계, 게이트 풋 패턴과 게이트 헤드 패턴에 게이트 물질을 증착하는 단계 및 레지스트를 제거하는 단계를 포함한다. | - |
| dc.title | 반도체 소자 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0044926 | - |
| dc.date.application | 2018-04-18 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2045321 | - |
| dc.date.registration | 2019-11-11 | - |
| dc.contributor.assignee | 경북대학교 산학협력단(80/80),(재)대구경북과학기술원(20/20) | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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