인공 시냅스 소자 및 이의 제조방법
- Title
- 인공 시냅스 소자 및 이의 제조방법
- Alternative Title
- Artificial synapse element and manufacturing method thereof
- Author(s)
- 이명재
- Country
- KO
- Application Date
- 2018-01-25
- Application No.
- 10-2018-0009652
- Registration Date
- 2018-11-20
- Publication No.
- 10-1922049
- Assignee
- (재)대구경북과학기술원(100/100)
- Abstract
- 본 발명의 일실시예는 인공시냅스 소자 제조방법을 제공한다. 이때, 상기 인공시냅스소자 제조방법은 기판 상에 제1전극을 형성하는 단계, 상기 제1전극 상에 제1저항변화층을 형성하는 단계 및 상기 제1저항변화층 상에 이리듐(Ir)전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 본 발명의 일실시예에 따른 인공시냅스 소자 제조방법에 따라 인공시냅스 소자를 제조할 경우, 필라멘트 대신 산소공공을 형성하여 제조되는 인공시냅스 소자의 저항산포를 감소시킴으로써 상기 인공시냅스 소자의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
- Related Researcher
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Lee, Myoung-Jae
- Research Interests Next generation semiconductor material/device; 차세대 반도체 소재/소자; Memristor; 멤리스터; Neuromorphic device; 뉴로모픽 소자; Nonvolatile resistance memory; 비휘발성 저항변화메모리
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- Appears in Collections:
- Division of Nanotechnology 3. Patents
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