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질소 도핑된 그래핀 양자점 제조방법, 질소 도핑된 그래핀 양자점 및 질소 도핑된 그래핀 양자점을 포함하는 태양전지

Title
질소 도핑된 그래핀 양자점 제조방법, 질소 도핑된 그래핀 양자점 및 질소 도핑된 그래핀 양자점을 포함하는 태양전지
Translated Title
MANUFACTURING MEHOD OF NITROGEN DOPED GRAPHENE QUANTUM DOT, NITROGEN DOPED GRAPHENE QUANTUM DOT AND SOLAR CELL COMPRISING NITROGEN DOPED GRAPHENE QUANTUM DOT
Inventors
김재현피로즈칸
DGIST Inventors
김재현
Country
KO
Application Date
2017-08-17
Application No.
10-2017-0104048
Registration Date
2019-08-13
Registration No.
10-2012461
Assignee
(재)대구경북과학기술원(100/100)
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/11272
https://doi.org/10.8080/1020170104048 [KIPRIS]
Abstract
본 발명은 질소 도핑된 그래핀 양자점의 제조방법 및 질소 도핑된 그래핀 양자점을 포함하는 태양전지에 관한 것이고, 본 발명의 실시 예를 따르는 질소 도핑된 그래핀 양자점의 제조방법은 그래핀 옥사이드 및 폴리에틸렌이민 혼합 용액을 준비하는 단계; 상기 폴리에틸렌이민 및 그래핀 옥사이드 혼합 용액을 교반하는 단계; 및 상기 교반된 폴리에틸렌이민 및 그래핀 옥사이드 혼합 용액을 가열하여, 상기 그래핀 옥사이드를 절단하고 상기 절단된 그래핀 옥사이드를 질소 도핑 및 환원하는 단계를 포함한다.
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Collection:
Division of Energy Technology3. Patents


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