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질소 도핑된 그래핀 양자점 제조방법, 질소 도핑된 그래핀 양자점 및 질소 도핑된 그래핀 양자점을 포함하는 태양전지
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- Title
- 질소 도핑된 그래핀 양자점 제조방법, 질소 도핑된 그래핀 양자점 및 질소 도핑된 그래핀 양자점을 포함하는 태양전지
- Alternative Title
- MANUFACTURING MEHOD OF NITROGEN DOPED GRAPHENE QUANTUM DOT, NITROGEN DOPED GRAPHENE QUANTUM DOT AND SOLAR CELL COMPRISING NITROGEN DOPED GRAPHENE QUANTUM DOT
- Country
- KO
- Application Date
- 2017-08-17
- Application No.
- 10-2017-0104048
- Registration Date
- 2019-08-13
- Publication No.
- 10-2012461
- Assignee
- (재)대구경북과학기술원(100/100)
- Abstract
-
본 발명은 질소 도핑된 그래핀 양자점의 제조방법 및 질소 도핑된 그래핀 양자점을 포함하는 태양전지에 관한 것이고, 본 발명의 실시 예를 따르는 질소 도핑된 그래핀 양자점의 제조방법은 그래핀 옥사이드 및 폴리에틸렌이민 혼합 용액을 준비하는 단계; 상기 폴리에틸렌이민 및 그래핀 옥사이드 혼합 용액을 교반하는 단계; 및 상기 교반된 폴리에틸렌이민 및 그래핀 옥사이드 혼합 용액을 가열하여, 상기 그래핀 옥사이드를 절단하고 상기 절단된 그래핀 옥사이드를 질소 도핑 및 환원하는 단계를 포함한다.
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