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dc.contributor.author 양두경 -
dc.contributor.author 이호춘 -
dc.contributor.author 장민철 -
dc.contributor.author 홍승태 -
dc.contributor.author 곽헌호 -
dc.date.accessioned 2020-02-25T02:56:03Z -
dc.date.available 2020-02-25T02:56:03Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/11308 -
dc.description.abstract 본 발명은 고분자-마그네슘 이온 전도체, 이의 제조방법, 이를 포함하는 마그네슘 이온 전도성 고분자 막, 및 상기 마그네슘 이온 전도성 고분자막을 포함하는 마그네슘 전지에 관한 것으로서, 상기 고분자-마그네슘 이온 전도체는 고분자 및 마그네슘염을 포함한다. 상기 고분자-마그네슘 이온 전도체는 우수한 마그네슘 이온 전도성을 나타내어, 이를 전지, 특히 마그네슘 전지의 전해질로서 적용시 전지 특성을 향상시킬 수 있다. -
dc.title 고분자-마그네슘 이온 전도체, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 마그네슘 이온 전도성 고분자 막, 및 상기 마그네슘 이온 전도성 고분자 막을 포함하는 마그네슘 전지 -
dc.title.alternative POLYMER-MAGNESIUM ION CONDUCTIVE MATERIAL, METHOD FOR PREPARING THE SAME, MAGNESIUM ION CONDUCTIVE POLYMER FILM COMPRISING THE SAME, AND MAGNESIUM BATTERY COMPRISING THE MAGNESIUM ION CONDUCTIVE POLYMER FILM -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2015-0093806 -
dc.date.application 2015-06-30 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1993462 -
dc.date.registration 2019-06-20 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(50/0),(주)LG화학(50/100) -
dc.description.claim 고분자 및 마그네슘염을 포함하는 고분자-마그네슘 이온 전도체. -
dc.type.iprs 특허 -

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