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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이재동 | - |
| dc.contributor.author | 김칠민 | - |
| dc.contributor.author | 김영재 | - |
| dc.date.accessioned | 2020-03-02T01:20:21Z | - |
| dc.date.available | 2020-03-02T01:20:21Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/11454 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 일 실시예에 따르면, 메모리 셀 어레이를 포함하는 광학 메모리 시스템에 있어서, 상기 메모리 셀 어레이에 포함된 적어도 하나의 단위 셀은, 제1전극 및 제2전극을 포함하는 커패시터; 상기 제1전극에 각각 전기적으로 연결된 제1다이오드 및 제2다이오드를 포함하며, 상기 제1다이오드는 서로 접합된 제1부도체 및 제2부도체를 포함하고, 상기 제2다이오드는 서로 접합된 제3부도체 및 제4부도체를 포함하며, 상기 제1부도체 내지 상기 제4부도체는 각각 5 eV 이상의 밴드갭을 갖는, 광학 메모리 시스템을 제공한다. | - |
| dc.title | 메모리 시스템 및 이의 동작 방법 | - |
| dc.title.alternative | MEMORY SYSTEM AND OPERATION METHOD FOR THE SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 이재동. 메모리 시스템 및 이의 동작 방법. | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0019528 | - |
| dc.date.application | 2018-02-19 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2075036 | - |
| dc.date.registration | 2020-02-03 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
