Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이명재 | ko |
| dc.date.accessioned | 2020-08-18T09:01:19Z | - |
| dc.date.available | 2020-08-18T09:01:19Z | - |
| dc.date.issued | 2018-01-25 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/12196 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 일실시예는 인공시냅스 소자 제조방법을 제공한다. 이때, 상기 인공시냅스소자 제조방법은 기판 상에 제1전극을 형성하는 단계, 상기 제1전극 상에 제1저항변화층을 형성하는 단계 및 상기 제1저항변화층 상에 이리듐(Ir)전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 본 발명의 일실시예에 따른 인공시냅스 소자 제조방법에 따라 인공시냅스 소자를 제조할 경우, 필라멘트 대신 산소공공을 형성하여 제조되는 인공시냅스 소자의 저항산포를 감소시킴으로써 상기 인공시냅스 소자의 신뢰도를 향상시킬 수 있다. | - |
| dc.title | 인공 시냅스 소자 및 이의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Artificial synapse element and manufacturing method thereof | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0009652 | - |
| dc.date.application | 2018-01-25 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1922049 | - |
| dc.date.registration | 2018-11-20 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 이명재 | - |
- Files in This Item:
-
There are no files associated with this item.
- Appears in Collections:
- Division of Nanotechnology 3. Patents
Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.