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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김재현 | - |
| dc.contributor.author | 피로즈칸 | - |
| dc.contributor.author | 오미솔 | - |
| dc.date.accessioned | 2020-08-18T09:02:12Z | - |
| dc.date.available | 2020-08-18T09:02:12Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/12213 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 일 실시예는 음극재료를 제공한다. 이러한 음극재료는 리튬 티타늄 산화물계 입자 및 상기 리튬 티타늄 산화물계 입자 상에 위치하는 질소가 도핑 된 그래핀 양자점 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다. | - |
| dc.title | 율특성이 우수하고 장기 충방전시 가스발생이 없는 질소가 도핑된 그래핀 양자점이 부착된 LTO 음극재료 | - |
| dc.title.alternative | LTO cathode material with excellent rate characteristics and no gas generation during long-term charge / discharge with graphene quantum dot doped with nitrogen | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0077044 | - |
| dc.date.application | 2018-07-03 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1882901 | - |
| dc.date.registration | 2018-07-23 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
