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DC Field Value Language 이기승 - 유천열 - 2020-08-19T09:04:19Z - 2020-08-19T09:04:19Z -
dc.identifier.uri -
dc.description.abstract 본 발명의 일 실시예에 따른 GMR 센서는 사각형의 변에 각각 배치되는 제1 내지 제4 GMR 저항을 포함한다. 상기 제1 내지 제4 GMR 저항 각각은, 기판 상에 배치된 단열 절연층; 상기 단열 절연층 상에 배치된 가열 라인; 상기 가열 라인 상에 차례로 적층된 고정층, 비자성 금속층, 및 자유층을 포함하는 GMR 소자; 상기 가열 라인의 일단에 연결된 제1 가열 라인 패드; 상기 가열 라인의 타단에 연결된 제2 가열 라인 패드; 상기 GMR 소자의 일단에 연결된 제1 연결 패드; 및 상기 GMR 소자의 타단에 연결된 제2 연결 패드를 포함한다. 상기 GMR 소자의 고정층의 자화 방향은 상기 제1 내지 제4 GMR 저항에서 서로 다르다. -
dc.title 거대자기저항 센서 -
dc.title.alternative Giant magnetoresistance Sensor -
dc.type Patent - KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2017-0153162 - 2017-11-16 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1965510 - 2019-03-28 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.type.iprs 특허 -
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Department of Physics and Chemistry Spin Phenomena for Information Nano-devices(SPIN) Lab 3. Patents


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