Cited 0 time in webofscience Cited 0 time in scopus

인공 시냅스 소자 및 이의 제조방법

Title
인공 시냅스 소자 및 이의 제조방법
Translated Title
Artificial synapse element and manufacturing method thereof
Inventors
이명재
DGIST Inventors
이명재
Country
KO
Application Date
2017-12-07
Application No.
10-2017-0167572
Registration Date
2019-01-15
Registration No.
10-1940669
Assignee
(재)대구경북과학기술원(100/100)
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/12232
https://doi.org/10.8080/1020170167572 [KIPRIS]
Abstract
본 발명의 일실시예는 인공시냅스 소자 제조방법을 제공한다. 이때, 상기 인공시냅스 소자 제조방법은 기판 상에 제1전극을 형성하는 단계, 상기 제1전극 상에 제1저항변화층을 형성하는 단계, 상기 제1저항변화층 상에 산소플라즈마 처리를 통해 상기 제1 저항변화층의 상부영역을 제2저항변화층으로 형성하는 단계 및 상기 제2저항변화층 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
Related Researcher
Files:
There are no files associated with this item.
Collection:
Division of Nanotechnology3. Patents


qrcode mendeley

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

BROWSE