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dc.contributor.author 정인철 -
dc.contributor.author 이강택 -
dc.date.accessioned 2020-08-20T09:05:15Z -
dc.date.available 2020-08-20T09:05:15Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/12291 -
dc.description.abstract 본 발명은 구조적 안정성이 강화되어 700 ℃ 이하의 온도에서 장시간 구동되어도 높은 이온전도도를 가지는 삼중도핑 안정화 산화비스무트(SBO: Stabilized Bismuth Oxide)계 전해질 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예는, 산화비스무트에 1차 도펀트로서 어븀산화물(Er2O3), 2차 도펀트로서 A 금속원소의 산화물과 3차 도펀트로서 B 금속원소의 산화물이 도핑된 AxByErzBi2-(x+y+z)O3+δ의 화학식을 가지고, 상기 x 또는 y는 0.001 내지 0.1의 실수이고, z는 0.1 내지 0.5의 실수이며, 상기 δ는 0 초과 3 미만인 삼중도핑 안정화 산화비스무트계 전해질을 제공한다. -
dc.title 삼중도핑 안정화 산화비스무트계 전해질 및 그 제조 방법 -
dc.title.alternative triple doped Stabilized Bismuth Oxide based electrolyte and the manufacturing method thereof -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2018-0132910 -
dc.date.application 2018-11-01 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-2105056 -
dc.date.registration 2020-04-21 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.type.iprs 특허 -
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Department of Energy Science and Engineering AECSL(Advanced Energy Conversion and Storage Lab) 3. Patents

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