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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 홍정일 | - |
| dc.contributor.author | 김현중 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-04-23T05:02:58Z | - |
| dc.date.available | 2021-04-23T05:02:58Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/13049 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명에 따른 교환 바이어스 필드 설정방법은 서로 접하여 계면을 이루는 강자성체층과 반강자성체층의 자성 적층체; 및 상기 자성 적층체의 상부 또는 하부에 위치하는 압전체층;을 포함하는 헤테로구조체에 교류 전기장 및 외부 자기장을 인가하여 교환 바이어스 필드를 설정한다. | - |
| dc.title | 교환 바이어스 필드 설정방법 | - |
| dc.title.alternative | Setting Method of Exchange Bias Field | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0161363 | - |
| dc.date.application | 2018-12-13 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2176109 | - |
| dc.date.registration | 2020-11-03 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
