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DC Field Value Language
dc.contributor.author 홍정일 -
dc.contributor.author 김현중 -
dc.date.accessioned 2021-04-23T05:02:58Z -
dc.date.available 2021-04-23T05:02:58Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/13049 -
dc.description.abstract 본 발명에 따른 교환 바이어스 필드 설정방법은 서로 접하여 계면을 이루는 강자성체층과 반강자성체층의 자성 적층체; 및 상기 자성 적층체의 상부 또는 하부에 위치하는 압전체층;을 포함하는 헤테로구조체에 교류 전기장 및 외부 자기장을 인가하여 교환 바이어스 필드를 설정한다. -
dc.title 교환 바이어스 필드 설정방법 -
dc.title.alternative Setting Method of Exchange Bias Field -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2018-0161363 -
dc.date.application 2018-12-13 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-2176109 -
dc.date.registration 2020-11-03 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.type.iprs 특허 -
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Department of Physics and Chemistry Spin Nanotech Laboratory 3. Patents

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