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dc.contributor.author 이기승 -
dc.contributor.author 김우영 -
dc.contributor.author 유천열 -
dc.date.accessioned 2021-04-23T05:05:40Z -
dc.date.available 2021-04-23T05:05:40Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/13084 -
dc.description.abstract 본 발명은, 복수 개의 입력 영역, 상기 복수 개의 입력 영역이 만나는 교차 영역, 및 상기 교차 영역에서 뻗어나오는 출력 영역을 포함하는 제1 자성층과, 상기 제1 자성층의 상기 출력 영역 상에 형성된 비자성 금속층과, 상기 비자성 금속층의 상면에 형성된 제2 자성층을 포함하는, 자구벽 이동 방식의 논리 게이트 소자를 제공한다. -
dc.title 자구벽 이동 방식의 논리 게이트 소자 -
dc.title.alternative Logic gate element using magnetic domain wall movement -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2020-0003905 -
dc.date.application 2020-01-10 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-2203486 -
dc.date.registration 2021-01-11 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.type.iprs 특허 -
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Department of Physics and Chemistry Spin Phenomena for Information Nano-devices(SPIN) Lab 3. Patents

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