Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 심준형 | - |
| dc.contributor.author | 양기정 | - |
| dc.contributor.author | 김영일 | - |
| dc.contributor.author | 손대호 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-04-23T05:35:13Z | - |
| dc.date.available | 2021-04-23T05:35:13Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/13251 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 후면전극에 황화아연 버퍼층을 적용한 CZTS계 박막 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 후면전극과 금속 전구체층 사이에 황화아연 버퍼층을 도입하여 광흡수층을 형성함으로써 후면전극과 광흡수층 사이의 계면 제어를 통해 광전환 효율 및 전지특성이 향상된 박막 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막 태양전지 제조방법은 후면전극과 금속 전구체층 사이에 황화아연 버퍼층을 형성시킴으로써 계면에 발생하는 공극(void)을 감소시켜 보다 균일하고 조밀한 박막을 가질 수 있으며, 광흡수층 금속 전구체의 구성 원소(Cu, Zn, Sn)와 VI족 원소(Se,S)가 몰리브덴 후면전극으로 확산하는 것을 억제함으로써 광흡수층과 후면전극의 전기적 접합을 향상시켜 광전환 효율이 우수한 이점을 갖는다. | - |
| dc.title | 황화아연 버퍼층을 적용한 CZTS계 박막 태양전지 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | A preparation method of solar cell using ZnS buffer layer | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0002212 | - |
| dc.date.application | 2018-01-08 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1893411 | - |
| dc.date.registration | 2018-08-24 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.description.claim | a) 기판 상에 후면전극을 형성하는 단계;b) 상기 후면전극 상에 황화아연 버퍼층을 표면 전체에 고르게 증착시켜 완전한 박막으로 형성하는 단계; 및c) 상기 황화아연 버퍼층 상에 금속 전구체층으로 Cu, Zn 및 Sn 원소를 별도로 형성하고 VI족 원소 함유 기체 분위기 하에서 열처리 공정을 거쳐 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하는, 박막 태양전지의 제조방법. | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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- Division of Energy & Environmental Technology 3. Patents
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