애노드 전극; 상기 애노드 전극 상부에 형성되고, 하기 화학식 1로 표시되는 무기화합물인 발광 입자 및 상기 발광 입자 표면에 코팅되는 코팅층을 포함하는 발광층; 및 상기 발광층 상부에 형성된 캐소드 전극;을 포함하고, 상기 코팅층 중 애노드 전극과 인접하는 코팅층의 적어도 일부분은 하기 화학식 2의 무기화합물을 포함하며, 상기 코팅층 중 캐소드 전극과 인접하는 코팅층의 적어도 일부분은 하기 화학식 3의 무기화합물을 포함하는 무기 전계 발광소자: 003c#화학식 1003e# M1A 003c#화학식 2003e# M2(1+x)A 003c#화학식 3003e# M2(2-x)A (상기 화학식 1 내지 3에 있어서, 상기 M1은 2족 또는 12족 원소이고, 상기 A는 칼코겐 원소로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소이고, 상기 M2는 금속 원소이고, 상기 x는 0 ≤ x 003c# 0.5 이다)가 개시된다. 본 발명의 일 측면에서 제공되는 무기 전계 발광소자는 발광 입자를 둘러싼 코팅층에 특정 무기화합물을 형성함으로써, 직류 구동이 가능하며, 더 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 발광 효율이 향상될 수 있는 효과가 있다.