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2단자 저항변화 메모리 및 이의 제조방법, 이를 포함하는 크로스포인트 어레이 구조의 메모리 시스템

Title
2단자 저항변화 메모리 및 이의 제조방법, 이를 포함하는 크로스포인트 어레이 구조의 메모리 시스템
Translated Title
2-terminal resistive random access memory and preparation method thereof, and cross point array structure memory system comprising the same
Inventors
송민호서순애이명재김태광
DGIST Inventors
송민호; 서순애; 이명재; 김태광
Country
KO
Application Date
2020-04-02
Application No.
10-2020-0040390
Registration Date
2021-06-29
Registration No.
10-2272796
Assignee
(재)대구경북과학기술원(100/100)
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/13839
https://doi.org/10.8080/1020200040390 [KIPRIS]
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Collection:
Division of Nanotechnology3. Patents


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