DGIST Scholar: 스핀궤도 토크 메모리 소자 및 이의 제조방법

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Department of Physics and Chemistry Spin Phenomena for Information Nano-devices(SPIN) Lab 3. Patents

스핀궤도 토크 메모리 소자 및 이의 제조방법

김우영 ;
유천열

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Title: 스핀궤도 토크 메모리 소자 및 이의 제조방법

Alternative Title: SIPN ORBIT TORQUE MEMORY DEVICE AND PREPARATION METHOD THEREOF

Country: KO

Application Date: 2020-12-30

Application No.: 10-2020-0188178

Registration Date: 2022-12-02

Publication No.: 10-2475061

Assignee: (재)대구경북과학기술원(60/60),고려대학교 산학협력단(40/40)

URI: http://hdl.handle.net/20.500.11750/17261 10-2020-0188178

Abstract: 본 발명은 스핀 궤도 토크 메모리 소자 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 스핀궤도 활성층 상에 형성되는 자유층, 상기 자유층 상에 형성되는 터널 배리어층; 및 상기 터널 배리어층 상에 형성되는 고정층;을 포함하고, 상기 자유층은 면내 방향으로 비대칭 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.
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