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dc.contributor.author 최송희 -
dc.contributor.author 이신범 -
dc.contributor.author 하영경 -
dc.contributor.author 이기수 -
dc.date.accessioned 2023-06-01T02:10:23Z -
dc.date.available 2023-06-01T02:10:23Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/45936 -
dc.description.abstract 본 발명은, 강상관전자계를 이용한 적외선 투과 전도체 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 적외선 투과 전도체는, 전이금속 산화물을 포함하는 강상관전자계 산화물을 포함한다. -
dc.title 강상관전자계를 이용한 적외선 투과 전도체 및 그 제조방법 -
dc.title.alternative CORRELATION-DRIVEN INFRARED TRANSPARENT CONDUCTOR AND PREPARING METHOD OF THE SAME -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2021-0021258 -
dc.date.application 2021-02-17 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-2532178 -
dc.date.registration 2023-05-09 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(50/50),국방과학연구소(50/50) -
dc.type.iprs 특허 -
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Department of Physics and Chemistry Semiconductor Energy Sensor Laboratory 3. Patents

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