Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김준우 | - |
| dc.contributor.author | 이광준 | - |
| dc.contributor.author | 정재욱 | - |
| dc.contributor.author | 김성진 | - |
| dc.contributor.author | 최병대 | - |
| dc.date.accessioned | 2023-12-26T21:46:34Z | - |
| dc.date.available | 2023-12-26T21:46:34Z | - |
| dc.date.created | 2014-12-19 | - |
| dc.date.issued | 2012-02-10 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/47418 | - |
| dc.description.abstract | 본 연구에서는 게이트 절연막 SiO2가 증착된 Si 기판위에 스퍼터링 방식으로 투명산화막반도 체 a-IGZO타겟을 사용하여 채널층을 형성하고, a-IZO타겟으로 소스/드레인층을 형성하여 박막 트랜지스터를 제작하였다. 채널층의 두께 20 nm, 50 nm,100 nm에 따른 전기적인 특성을 평가하였으며, 두께 따라 문턱전압의 변화를 확인하였다. 제작된 a-IGZO 박막트랜지스터는 높은 전자 이동도와 스위칭특성을 보여주었다. | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.publisher | 한국진공학회 | - |
| dc.title | 투명산화물반도체 a-IGZO 박막트랜지스터의 제작과 채널두께에 따른 전기적특성분석 | - |
| dc.type | Conference Paper | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 한국진공학회 동계정기학술대회, pp.394 - 395 | - |
| dc.identifier.url | http://www.dbpia.co.kr/Journal/PDFViewNew?id=NODE01819591&prevPathCode= | - |
| dc.citation.conferencePlace | KO | - |
| dc.citation.conferencePlace | 평창 | - |
| dc.citation.endPage | 395 | - |
| dc.citation.startPage | 394 | - |
| dc.citation.title | 한국진공학회 동계정기학술대회 | - |
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