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단결정 산화물 박막의 전사 방법 및 이의 응용
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dc.contributor.author 이신범 -
dc.contributor.author 이기수 -
dc.contributor.author 정욱기 -
dc.contributor.author 김동하 -
dc.date.accessioned 2024-11-21T11:10:19Z -
dc.date.available 2024-11-21T11:10:19Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/57183 -
dc.description.abstract 본 발명은 단결정 산화물 박막의 전사 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (a) 제1 기판 위에 화학 안정성을 가지는 용매에 용해되는 희생층을 형성하는 단계, (b) 상기 희생층 위에 단결정 산화물 박막을 성장시켜 적층체를 형성하는 단계, (c) 상기 적층체를 용매에 담금에 따라 상기 용매 내에서 상기 희생층을 용해하여 상기 제1 기판과 상기 단결정 산화물 박막을 분리하는 단계, 및 (d) 제2 기판을 상기 용매에 담근 후 들어 올리면서 용매 위에 부유된 상기 단결정 산화물 박막을 떠올려 제2 기판 상에 전사하는 단계를 포함하는 것으로, 특정 단결정 기판 위에 성장된 단결정 산화물 박막을 유연 기판 혹은 결정성에 관계없는 기판 위에 전사하여 기능성 소자를 제조할 수 있는 단결정 산화물 박막의 전사 방법에 관한 것이다. -
dc.title 단결정 산화물 박막의 전사 방법 및 이의 응용 -
dc.title.alternative TRANSFER METHOD OF THE OXIDE SINGLE CRYSTAL THIN FILM, AND APPLICATION THEROF -
dc.type Patent -
dc.identifier.bibliographicCitation 이신범. 단결정 산화물 박막의 전사 방법 및 이의 응용. -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2022-0102691 -
dc.date.application 2022-08-17 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-2730375 -
dc.date.registration 2024-11-11 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(50/50),국방과학연구소(50/50) -
dc.type.iprs 특허 -
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