본 발명은 물리적 복제 방지(Physically unclonable function, PUF) 소자에 관한 것으로서, 비정질 혹은 다결정질 기판 상에 증착되어 무작위로 형성된(randomly textured) 다결정 구조를 가지며, 상기 무작위로 형성된 다결정 구조에 따라 서로 상이한 터널자기저항(tunneling magnetoresistance, TMR) 값을 부여하는 교자성(Altermagnetic) 층, 터널링 현상이 발생 가능한 두께로 형성되는 절연층, 및 자화 방향을 가지며, 상기 교자성층과 상호작용하여 TMR 특성을 만들어내는 강자성층을 포함하는 교자성 기반 자기터널접합(Altermagnetic Tunnel Junction, AMTJ) 구조로 형성되는 PUF 소자에 관한 것이다.
