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고효율 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

Title
고효율 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
Translated Title
Organic Thin Film Transistor with High Efficeincy and Method thereof
Inventors
김재현김대환최병대
DGIST Inventors
김재현김대환최병대
Country
KO
Application Date
2005-12-29
Application No.
10-2005-0133512
Registration Date
2007-09-10
Registration No.
10-0758872
Assignee
(재)대구경북과학기술원(100/100)
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/7987
https://doi.org/10.8080/1020050133512 [KIPRIS]
Abstract
본 발명은 유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 상기 유기 박막 트랜지스터는 소정의 형상으로 이루어지는 적어도 하나 이상의 요철부가 형성된 기판과, 상기 기판의 요철부 상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막의 상부에 소정의 형상으로 패터닝되어 형성된 유기물 절연막과, 상기 유기물 절연막의 상부에 형성되는 소오스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소오스 전극과 드레인 전극의 사이에 형성되며, 상기 게이트 절연막의 상부에 형성되는 자기 조립체와, 상기 자기 조립체의 상부에 형성되며, 상기 소오스 전극과 드레인 전극의 양 단부에 접속되는 활성층을 구비한다. 상기 기판의 요철부는 오목한 형상의 홈부 또는 볼록한 형상의 돌출부로 이루어지거나, 상기 홈부와 상기 돌출부가 선택적으로 결합된 형상으로 이루어진다. 본 발명에 의하여 기판의 구조를 변경함으로써 유기 박막 트랜지스터의 포화 영역의 드레인 전류를 증가시키고 점멸비를 향상시킬 수 있게 된다.
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