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dc.contributor.author 김세윤 -
dc.contributor.author 길은경 -
dc.contributor.author 성시준 -
dc.contributor.author 김대환 -
dc.date.accessioned 2018-07-11T12:19:03Z -
dc.date.available 2018-07-11T12:19:03Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/8018 -
dc.description.abstract 본 발명은 상대 습도 0 % 내지 100 %로 조절된 분위기에서 금속 산화물 전구체를 포함하는 전구체 용액을 도포하여 습막(wet film)을 형성하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 형성된 습막을 상대 습도 0 % 내지 100 %로 조절된 분위기에서 저온 열처리(soft baking)하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 저온 열처리된 막을 소결하는 단계(단계 3);를 포함하는 금속 산화물 막의 모폴로지 제어방법을 제공한다. 본 발명에 따른 금속 산화물 막의 모폴로지 제어방법은 가수분해 및 축합반응이 일어날 수 있는 습막(wet film)에 외부에서부터 물(H2O)을 공급함으로써 졸-겔(sol-gel) 반응 속도 및 진행 정도를 제어하여 원하는 모폴로지를 가지는 금속 산화물 막을 제조할 수 있다. 또한, 습막을 저온 열처리하는 공정을 통해 상대 습도 분위기에서 발생하는 가수분해를 제어할 수 있어 모폴로지 제어에 더욱 용이한 효과가 있다. 나아가, 본 발명에 따른 모폴로지가 제어된 금속 산화물 막을 태양전지 광전극용으로 사용할 경우 우수한 성능의 태양전지를 제조할 수 있는 효과가 있다. -
dc.title 금속 산화물 막의 모폴로지 제어방법 -
dc.title.alternative Control method for morphology of metal oxide film -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2015-0154086 -
dc.date.application 2015-11-03 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1714750 -
dc.date.registration 2017-03-03 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.description.claim 기설정된 상대 습도로 조절된 분위기에서 금속 산화물 전구체를 포함하는 전구체 용액을 도포하여 습막(wet film)을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 형성된 습막을 기설정된 상대 습도로 조절된 분위기에서 저온 열처리(soft baking)하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 저온 열처리된 막을 소결하는 단계(단계 3);를 포함하는 금속 산화물 막의 모폴로지 제어방법. -
dc.type.iprs 특허 -
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Division of Energy Technology 3. Patents

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