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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김재현 | - |
| dc.contributor.author | 백성호 | - |
| dc.contributor.author | 피로즈칸 | - |
| dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:22:00Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-11T12:22:00Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8102 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 ZnO:Al:Ag 패시베이션 층의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 ZnO:Al:Ag 패시베이션 층에 관한 것으로, 구체적으로는 ZnO:Al:Ag 전구체 용액을 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅하여 코팅막을 형성하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 코팅막을 400 ℃ 내지 700 ℃의 온도로 열처리하는 단계(단계 2);를 포함하는 ZnO:Al:Ag 패시베이션 층의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 ZnO:Al:Ag 패시베이션 층의 제조방법에 따르면, 종래에 비해 원료가 저렴하며 제조공정이 간단한 장점이 있고, 특정 은, 알루미늄 몰비의 전구체로부터 특정 온도에서 열처리함으로써 우수한 유효 캐리어 수명을 갖는 실리콘 웨이퍼를 제조할 수 있다. | - |
| dc.title | ZnO:Al:Ag 패시베이션 층의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 ZnO:Al:Ag 패시베이션 층 | - |
| dc.title.alternative | Method for manufacturing of ZnO:Al:Ag passivation layer and ZnO:Al:Ag passivation layer thereof | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 김재현. ZnO:Al:Ag 패시베이션 층의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 ZnO:Al:Ag 패시베이션 층. | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2014-0157939 | - |
| dc.date.application | 2014-11-13 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1554565 | - |
| dc.date.registration | 2015-09-15 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.description.claim | ZnO:Al:Ag 전구체 용액을 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅하여 코팅막을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 코팅막을 400 ℃ 내지 700 ℃의 온도로 열처리하는 단계(단계 2);를 포함하는 ZnO:Al:Ag 패시베이션 층의 제조방법. | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
