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dc.contributor.author 김재현 -
dc.contributor.author 백성호 -
dc.contributor.author 피로즈칸 -
dc.date.accessioned 2018-07-11T12:24:34Z -
dc.date.available 2018-07-11T12:24:34Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/8169 -
dc.description.abstract 본 발명은 그래핀 옥사이드(graphene oxide, GO) 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide, TMAH)를 포함하는 혼합 용액을 제조하는 단계(단계 1); 및 상기 단계 1에서 제조된 혼합 용액을 가열하는 단계(단계 2);를 포함하는 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드의 제조방법를 제공한다. 본 발명에 따른 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드의 제조방법은 질소 도펀트로서 테트라메틸암모늄 하이드록사이드라는 4 차 암모늄염을 사용함으로써 저온에서도 충분한 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드를 제조할 수 있다. 또한, 그래핀 옥사이드 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드의 혼합 비율을 조절함으로써 질소 도핑 레벨(doping level)을 조절할 수 있다. 나아가, 별도의 첨가제를 포함하지 않고 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드를 제조할 수 있기 때문에 친환경적이고, 액상 공정으로 대량 생산이 가능하다. -
dc.title 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드 -
dc.title.alternative Preparation method of N-doped reduced graphene oxide and the N-doped reduced graphene oxide thereby -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2015-0057963 -
dc.date.application 2015-04-24 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1739347 -
dc.date.registration 2017-05-18 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.description.claim 그래핀 옥사이드(graphene oxide, GO) 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide, TMAH)를 포함하는 혼합 용액을 제조하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 제조된 혼합 용액을 0 ℃ 내지 90 ℃에서 반응시켜 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드를 제조하는 단계(단계 2);를 포함하는 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드의 제조방법. -
dc.type.iprs 특허 -
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Division of Energy Technology 3. Patents

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