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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 정상원 | ko |
| dc.contributor.author | 이수근 | ko |
| dc.contributor.author | 류홍근 | ko |
| dc.contributor.author | 손영수 | ko |
| dc.contributor.author | 김현철 | ko |
| dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:25:37Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-11T12:25:37Z | - |
| dc.date.issued | 2006-04-19 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8197 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 기판의 형상을 구조적으로 변경하여 소자의 구동 전류 및 바이오 감지 타겟 물질과의 물리적 접촉 면적을 증가시키고 전기적 성능을 향상시킨 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 반도체 기판 위에 적층된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 절연막과 접촉하며 양측에 형성된 소스 및 드레인 영역; 및 상기 게이트 전극 위에 형성된 바이오 감지막을 포함하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서에 있어서, 상기 반도체 기판은 선정된(predetermined) 하나 이상의 요철부가 형성된 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서를 제공한다. 본 발명에 의하면, 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서의 반도체 기판 형상의 구조적 개선하여 전기적 성능의 향상을 통해 높은 S/N비(신호 대 잡음비)를 구현하여 재현성 및 그 정확도를 높일 수 있다. | - |
| dc.title | 고감도 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서 및 그 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | HIGHLY SENSITIVE FIELD EFFECT TRANSISTOR TYPE BIO SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 정상원. (2006-04-19). 고감도 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서 및 그 제조방법. | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 손영수 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2006-0035343 | - |
| dc.date.application | 2006-04-19 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0758822 | - |
| dc.date.registration | 2007-09-10 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.description.claim | 반도체 기판 위에 적층된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 절연막과 접촉하며 양측에 형성된 소스 및 드레인 영역; 및 상기 게이트 전극 위에 형성된 바이오 감지막 을 포함하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서에 있어서, 상기 게이트 전극 상에는 기준 전극(Reference electrode)이 형성되고, 상기 반도체 기판은 선정된(predetermined) 하나 이상의 요철부가 형성된 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서. | - |
| dc.description.claim | 반도체 기판 위에 적층된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 절연막과 접촉하며 양측에 형성된 소스 및 드레인 영역; 및 상기 게이트 전극 위에 형성된 바이오 감지막 을 포함하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서에 있어서, 상기 게이트 전극 상에는 기준 전극(Reference electrode)이 형성되고, 상기 반도체 기판은 선정된(predetermined) 하나 이상의 요철부가 형성된 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서. | - |
| dc.description.claim | 반도체 기판 위에 적층된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 절연막과 접촉하며 양측에 형성된 소스 및 드레인 영역; 및 상기 게이트 전극 위에 형성된 바이오 감지막 을 포함하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서에 있어서, 상기 게이트 전극 상에는 기준 전극(Reference electrode)이 형성되고, 상기 반도체 기판은 선정된(predetermined) 하나 이상의 요철부가 형성된 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서. | - |
| dc.description.claim | 반도체 기판 위에 적층된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 절연막과 접촉하며 양측에 형성된 소스 및 드레인 영역; 및 상기 게이트 전극 위에 형성된 바이오 감지막 을 포함하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서에 있어서, 상기 게이트 전극 상에는 기준 전극(Reference electrode)이 형성되고, 상기 반도체 기판은 선정된(predetermined) 하나 이상의 요철부가 형성된 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서. | - |
| dc.description.claim | 반도체 기판 위에 적층된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 절연막과 접촉하며 양측에 형성된 소스 및 드레인 영역; 및 상기 게이트 전극 위에 형성된 바이오 감지막 을 포함하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서에 있어서, 상기 게이트 전극 상에는 기준 전극(Reference electrode)이 형성되고, 상기 반도체 기판은 선정된(predetermined) 하나 이상의 요철부가 형성된 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서. | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 정상원 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 이수근 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 류홍근 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 김현철 | - |
