Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 성시준 | - |
| dc.contributor.author | 김강필 | - |
| dc.contributor.author | 황대규 | - |
| dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:31:04Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-11T12:31:04Z | - |
| dc.date.issued | 2015-03-27 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8351 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 기공을 포함하는 금속 산화물 광전극의 제조방법, 이에 따라 제조되는 금속 산화물 광전극 및 이를 포함하는 페로브스카이트 태양전지에 관한 것으로써, 상세하게는 금속 산화물 나노입자와 기공형성제를 혼합하여 광전극 재료를 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 광전극 재료를 페로브스카이트 태양전지의 차단층 상부에 코팅하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 코팅된 광전극 재료를 가열하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계(단계 3);를 포함하는, 기공을 포함하는 금속 산화물 광전극의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 제조방법은 기공을 포함하는 금속 산화물 광전극을 제조할 수 있으며, 본 발명에 따라 제조되는 금속 산화물 광전극은 기존의 금속 산화물 광전극과 비교하여 높은 기공율을 나타낼 수 있다. 이에 따라, 광산란효과로 인하여 입사광의 광흡수율을 향상시킬 수 있어 궁극적으로는 페로브스카이트 태양전지의 효율을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 금속 산화물 광전극의 높은 기공율로 인하여 페로브스카이트 광흡수층의 침투가 용이하게 하여, 광전극과 광흡수층 간의 계면접촉을 향상시킬 수 있어, 이를 통해서도 페로브스카이트 태양전지의 효율을 높일 수 있다. | - |
| dc.title | 기공을 포함하는 금속 산화물 광전극의 제조방법, 이에 따라 제조되는 금속 산화물 광전극 및 이를 포함하는 페로브스카이트 태양전지 | - |
| dc.title.alternative | Preparation method of metal oxide photoelectrode, the metal oxide photoelectrode thereby, and Perovskite solar cells comprising the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2015-0043101 | - |
| dc.date.application | 2015-03-27 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1634620 | - |
| dc.date.registration | 2016-06-23 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.description.claim | 금속 산화물 나노입자와 기공형성제를 7:3 내지 8:2의 중량비로 혼합하여 광전극 재료를 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 광전극 재료를 페로브스카이트 태양전지의 차단층 상부에 코팅하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 코팅된 광전극 재료를 가열하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계(단계 3);를 포함하는, 기공을 포함하는 금속 산화물 광전극의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 금속 산화물 나노입자와 기공형성제를 7:3 내지 8:2의 중량비로 혼합하여 광전극 재료를 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 광전극 재료를 페로브스카이트 태양전지의 차단층 상부에 코팅하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 코팅된 광전극 재료를 가열하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계(단계 3);를 포함하는, 기공을 포함하는 금속 산화물 광전극의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 금속 산화물 나노입자와 기공형성제를 7:3 내지 8:2의 중량비로 혼합하여 광전극 재료를 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 광전극 재료를 페로브스카이트 태양전지의 차단층 상부에 코팅하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 코팅된 광전극 재료를 가열하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계(단계 3);를 포함하는, 기공을 포함하는 금속 산화물 광전극의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 금속 산화물 나노입자와 기공형성제를 7:3 내지 8:2의 중량비로 혼합하여 광전극 재료를 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 광전극 재료를 페로브스카이트 태양전지의 차단층 상부에 코팅하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 코팅된 광전극 재료를 가열하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계(단계 3);를 포함하는, 기공을 포함하는 금속 산화물 광전극의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 금속 산화물 나노입자와 기공형성제를 7:3 내지 8:2의 중량비로 혼합하여 광전극 재료를 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 광전극 재료를 페로브스카이트 태양전지의 차단층 상부에 코팅하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 코팅된 광전극 재료를 가열하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계(단계 3);를 포함하는, 기공을 포함하는 금속 산화물 광전극의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 금속 산화물 나노입자와 기공형성제를 7:3 내지 8:2의 중량비로 혼합하여 광전극 재료를 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 광전극 재료를 페로브스카이트 태양전지의 차단층 상부에 코팅하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 코팅된 광전극 재료를 가열하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계(단계 3);를 포함하는, 기공을 포함하는 금속 산화물 광전극의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 금속 산화물 나노입자와 기공형성제를 7:3 내지 8:2의 중량비로 혼합하여 광전극 재료를 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 광전극 재료를 페로브스카이트 태양전지의 차단층 상부에 코팅하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 코팅된 광전극 재료를 가열하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계(단계 3);를 포함하는, 기공을 포함하는 금속 산화물 광전극의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 금속 산화물 나노입자와 기공형성제를 7:3 내지 8:2의 중량비로 혼합하여 광전극 재료를 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 광전극 재료를 페로브스카이트 태양전지의 차단층 상부에 코팅하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 코팅된 광전극 재료를 가열하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계(단계 3);를 포함하는, 기공을 포함하는 금속 산화물 광전극의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 금속 산화물 나노입자와 기공형성제를 7:3 내지 8:2의 중량비로 혼합하여 광전극 재료를 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 광전극 재료를 페로브스카이트 태양전지의 차단층 상부에 코팅하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 코팅된 광전극 재료를 가열하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계(단계 3);를 포함하는, 기공을 포함하는 금속 산화물 광전극의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 금속 산화물 나노입자와 기공형성제를 7:3 내지 8:2의 중량비로 혼합하여 광전극 재료를 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 광전극 재료를 페로브스카이트 태양전지의 차단층 상부에 코팅하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 코팅된 광전극 재료를 가열하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계(단계 3);를 포함하는, 기공을 포함하는 금속 산화물 광전극의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 금속 산화물 나노입자와 기공형성제를 7:3 내지 8:2의 중량비로 혼합하여 광전극 재료를 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 광전극 재료를 페로브스카이트 태양전지의 차단층 상부에 코팅하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 코팅된 광전극 재료를 가열하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계(단계 3);를 포함하는, 기공을 포함하는 금속 산화물 광전극의 제조방법. | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 성시준 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 김강필 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 황대규 | - |
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- Division of Energy & Environmental Technology 3. Patents
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