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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김참 | ko |
| dc.contributor.author | 김기수 | ko |
| dc.contributor.author | 정선주 | ko |
| dc.contributor.author | 최병대 | ko |
| dc.contributor.author | 한윤수 | ko |
| dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:43:23Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-11T12:43:23Z | - |
| dc.date.issued | 2008-10-28 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8677 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성되고 칼코지나이드계 반도체 화합물이 상기 제1 전극 상에 전착(電着)되어 형성된 전착막으로 이루어진 P형 반도체층, 상기 P형 반도체층 상에 형성된 N형 반도체층 및 상기 N형 반도체층의 적어도 일 영역 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 박막 태양 전지 및 이의 제조 방법을 제공한다. | - |
| dc.title | 박막 태양 전지 및 이의 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | THIN FILM SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 김참. (2008-10-28). 박막 태양 전지 및 이의 제조 방법. | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김기수 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 정선주 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 한윤수 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2008-0105790 | - |
| dc.date.application | 2008-10-28 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1069109 | - |
| dc.date.registration | 2011-09-23 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.description.claim | 기판;상기 기판 상에 형성된 제1 전극;상기 제1 전극 상에 칼코지나이드계 반도체 화합물 입자를 전착(電着)법으로 형성시킨 칼코지나이드계 반도체 화합물 입자-금속수화물 복합체로 된 P형 반도체층;상기 P형 반도체층 상에 형성된 N형 반도체층; 및 상기 N형 반도체층의 적어도 일 영역 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 박막 태양 전지. | - |
| dc.description.claim | 기판;상기 기판 상에 형성된 제1 전극;상기 제1 전극 상에 칼코지나이드계 반도체 화합물 입자를 전착(電着)법으로 형성시킨 칼코지나이드계 반도체 화합물 입자-금속수화물 복합체로 된 P형 반도체층;상기 P형 반도체층 상에 형성된 N형 반도체층; 및 상기 N형 반도체층의 적어도 일 영역 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 박막 태양 전지. | - |
| dc.description.claim | 기판;상기 기판 상에 형성된 제1 전극;상기 제1 전극 상에 칼코지나이드계 반도체 화합물 입자를 전착(電着)법으로 형성시킨 칼코지나이드계 반도체 화합물 입자-금속수화물 복합체로 된 P형 반도체층;상기 P형 반도체층 상에 형성된 N형 반도체층; 및 상기 N형 반도체층의 적어도 일 영역 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 박막 태양 전지. | - |
| dc.description.claim | 기판;상기 기판 상에 형성된 제1 전극;상기 제1 전극 상에 칼코지나이드계 반도체 화합물 입자를 전착(電着)법으로 형성시킨 칼코지나이드계 반도체 화합물 입자-금속수화물 복합체로 된 P형 반도체층;상기 P형 반도체층 상에 형성된 N형 반도체층; 및 상기 N형 반도체층의 적어도 일 영역 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 박막 태양 전지. | - |
| dc.description.claim | 기판;상기 기판 상에 형성된 제1 전극;상기 제1 전극 상에 칼코지나이드계 반도체 화합물 입자를 전착(電着)법으로 형성시킨 칼코지나이드계 반도체 화합물 입자-금속수화물 복합체로 된 P형 반도체층;상기 P형 반도체층 상에 형성된 N형 반도체층; 및 상기 N형 반도체층의 적어도 일 영역 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 박막 태양 전지. | - |
| dc.description.claim | 기판;상기 기판 상에 형성된 제1 전극;상기 제1 전극 상에 칼코지나이드계 반도체 화합물 입자를 전착(電着)법으로 형성시킨 칼코지나이드계 반도체 화합물 입자-금속수화물 복합체로 된 P형 반도체층;상기 P형 반도체층 상에 형성된 N형 반도체층; 및 상기 N형 반도체층의 적어도 일 영역 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 박막 태양 전지. | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 김참 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 최병대 | - |
