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dc.contributor.author 오병윤 -
dc.contributor.author 백성호 -
dc.contributor.author 장환수 -
dc.contributor.author 김재현 -
dc.contributor.author 최호진 -
dc.contributor.author 김성빈 -
dc.date.accessioned 2018-07-11T12:45:09Z -
dc.date.available 2018-07-11T12:45:09Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/8726 -
dc.description.abstract 실리콘 웨이퍼 위에 마스크층을 패터닝하는 단계; 상기 마스크층으로 덮이지 않은 상기 실리콘 웨이퍼의 일부를 금속촉매 화학적 식각하는 단계; 상기 금속촉매 화학적 식각 이후 상기 실리콘 웨이퍼로부터 잔존 금속을 제거하는 단계; 상기 잔존 금속 제거 이후 상기 마스크층을 제거하여 에치 피트가 형성된 실리콘 웨이퍼를 얻는 단계; 및 상기 에치 피트가 형성된 상기 실리콘 웨이퍼를 전기화학적 식각 처리하여 실리콘 와이어 어레이를 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 와이어 구조체의 제조방법이 제공된다. -
dc.title 실리콘 와이어 구조체의 제조방법 -
dc.title.alternative Fabricating method of silicon wire structure -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2010-0077669 -
dc.date.application 2010-08-12 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1264877 -
dc.date.registration 2013-05-09 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.description.claim 실리콘 웨이퍼 위에 마스크층을 패터닝하는 단계;상기 마스크층으로 덮이지 않은 상기 실리콘 웨이퍼의 일부를 금속촉매 화학적 식각하는 단계;상기 금속촉매 화학적 식각 이후 상기 실리콘 웨이퍼로부터 잔존 금속을 제거하는 단계;상기 잔존 금속 제거 이후 상기 마스크층을 제거하여 에치 피트가 형성된 실리콘 웨이퍼를 얻는 단계; 및상기 에치 피트가 형성된 상기 실리콘 웨이퍼를 전기화학적 식각 처리하여 실리콘 와이어 어레이를 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 와이어 구조체의 제조방법. -
dc.type.iprs 특허 -
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Division of Energy & Environmental Technology 3. Patents

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