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dc.contributor.author 김대환 -
dc.contributor.author 심교승 -
dc.contributor.author 성시준 -
dc.date.accessioned 2018-07-11T12:46:49Z -
dc.date.available 2018-07-11T12:46:49Z -
dc.date.issued 2012-11-12 -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/8772 -
dc.description.abstract 본 발명은 광수확능력이 향상된 전고상 광 감응 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 투명기판, 투명전극 및 반도체 산화물층이 순차적으로 적층되고, 상기 반도체 산화물층에 흡착된 광 감응제를 포함하는 광 전극부; 상대전극부; 및 상기 광 전극부 및 상기 상대전극부 사이에 구비되되, 상기 상대전극부와의 접합면에 패턴이 형성된 홀 전도체;를 포함하는 전고상 광 감응형 태양전지를 제공한다. 본 발명에 따른 전고상 광 감응형 태양전지는 패터닝된 홀 전도체를 포함함에 따라 광 수득률 향상 및 전해질과 전극의 접촉면적 증가로 인한 저항 감소로 인하여 광전변환효율을 향상시킬 수 있으며, 종래의 전고상 광 감응형 태양전지보다 더욱 고 효율의 광 감응 태양전지를 제공할 수 있는 효과가 있다. -
dc.title 광수확능력이 향상된 전고상 광 감응 태양전지 및 이의 제조방법 -
dc.title.alternative Solid state light-sensitized solar cell having improved light harvesting ability, and the preparation method thereof -
dc.type Patent -
dc.type.rims PAT -
dc.contributor.nonIdAuthor 심교승 -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2012-0127458 -
dc.date.application 2012-11-12 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1467991 -
dc.date.registration 2014-11-26 -
dc.contributor.assignee 엑스파워 주식회사(100/100) -
dc.description.claim 유리기판, 플루오린 틴 옥사이드(FTO) 전극 및 산화티탄(TiO2)층이 순차적으로 적층되고, 상기 산화티탄층에 흡착된 N719를 포함하는 광 전극부;상대전극부; 및상기 광 전극부 및 상기 상대전극부 사이에 구비되되, 상기 상대전극부와의 접합면에 삼각 요철 형태의 패턴이 형성된 P3HT(Poly-3-hexylthiophene) 층;를 포함하는 전고상 광 감응형 태양전지. -
dc.description.claim 유리기판, 플루오린 틴 옥사이드(FTO) 전극 및 산화티탄(TiO2)층이 순차적으로 적층되고, 상기 산화티탄층에 흡착된 N719를 포함하는 광 전극부;상대전극부; 및상기 광 전극부 및 상기 상대전극부 사이에 구비되되, 상기 상대전극부와의 접합면에 삼각 요철 형태의 패턴이 형성된 P3HT(Poly-3-hexylthiophene) 층;를 포함하는 전고상 광 감응형 태양전지. -
dc.description.claim 유리기판, 플루오린 틴 옥사이드(FTO) 전극 및 산화티탄(TiO2)층이 순차적으로 적층되고, 상기 산화티탄층에 흡착된 N719를 포함하는 광 전극부;상대전극부; 및상기 광 전극부 및 상기 상대전극부 사이에 구비되되, 상기 상대전극부와의 접합면에 삼각 요철 형태의 패턴이 형성된 P3HT(Poly-3-hexylthiophene) 층;를 포함하는 전고상 광 감응형 태양전지. -
dc.description.claim 유리기판, 플루오린 틴 옥사이드(FTO) 전극 및 산화티탄(TiO2)층이 순차적으로 적층되고, 상기 산화티탄층에 흡착된 N719를 포함하는 광 전극부;상대전극부; 및상기 광 전극부 및 상기 상대전극부 사이에 구비되되, 상기 상대전극부와의 접합면에 삼각 요철 형태의 패턴이 형성된 P3HT(Poly-3-hexylthiophene) 층;를 포함하는 전고상 광 감응형 태양전지. -
dc.description.claim 유리기판, 플루오린 틴 옥사이드(FTO) 전극 및 산화티탄(TiO2)층이 순차적으로 적층되고, 상기 산화티탄층에 흡착된 N719를 포함하는 광 전극부;상대전극부; 및상기 광 전극부 및 상기 상대전극부 사이에 구비되되, 상기 상대전극부와의 접합면에 삼각 요철 형태의 패턴이 형성된 P3HT(Poly-3-hexylthiophene) 층;를 포함하는 전고상 광 감응형 태양전지. -
dc.description.claim 유리기판, 플루오린 틴 옥사이드(FTO) 전극 및 산화티탄(TiO2)층이 순차적으로 적층되고, 상기 산화티탄층에 흡착된 N719를 포함하는 광 전극부;상대전극부; 및상기 광 전극부 및 상기 상대전극부 사이에 구비되되, 상기 상대전극부와의 접합면에 삼각 요철 형태의 패턴이 형성된 P3HT(Poly-3-hexylthiophene) 층;를 포함하는 전고상 광 감응형 태양전지. -
dc.description.claim 유리기판, 플루오린 틴 옥사이드(FTO) 전극 및 산화티탄(TiO2)층이 순차적으로 적층되고, 상기 산화티탄층에 흡착된 N719를 포함하는 광 전극부;상대전극부; 및상기 광 전극부 및 상기 상대전극부 사이에 구비되되, 상기 상대전극부와의 접합면에 삼각 요철 형태의 패턴이 형성된 P3HT(Poly-3-hexylthiophene) 층;를 포함하는 전고상 광 감응형 태양전지. -
dc.description.claim 유리기판, 플루오린 틴 옥사이드(FTO) 전극 및 산화티탄(TiO2)층이 순차적으로 적층되고, 상기 산화티탄층에 흡착된 N719를 포함하는 광 전극부;상대전극부; 및상기 광 전극부 및 상기 상대전극부 사이에 구비되되, 상기 상대전극부와의 접합면에 삼각 요철 형태의 패턴이 형성된 P3HT(Poly-3-hexylthiophene) 층;를 포함하는 전고상 광 감응형 태양전지. -
dc.description.claim 유리기판, 플루오린 틴 옥사이드(FTO) 전극 및 산화티탄(TiO2)층이 순차적으로 적층되고, 상기 산화티탄층에 흡착된 N719를 포함하는 광 전극부;상대전극부; 및상기 광 전극부 및 상기 상대전극부 사이에 구비되되, 상기 상대전극부와의 접합면에 삼각 요철 형태의 패턴이 형성된 P3HT(Poly-3-hexylthiophene) 층;를 포함하는 전고상 광 감응형 태양전지. -
dc.description.claim 유리기판, 플루오린 틴 옥사이드(FTO) 전극 및 산화티탄(TiO2)층이 순차적으로 적층되고, 상기 산화티탄층에 흡착된 N719를 포함하는 광 전극부;상대전극부; 및상기 광 전극부 및 상기 상대전극부 사이에 구비되되, 상기 상대전극부와의 접합면에 삼각 요철 형태의 패턴이 형성된 P3HT(Poly-3-hexylthiophene) 층;를 포함하는 전고상 광 감응형 태양전지. -
dc.description.claim 유리기판, 플루오린 틴 옥사이드(FTO) 전극 및 산화티탄(TiO2)층이 순차적으로 적층되고, 상기 산화티탄층에 흡착된 N719를 포함하는 광 전극부;상대전극부; 및상기 광 전극부 및 상기 상대전극부 사이에 구비되되, 상기 상대전극부와의 접합면에 삼각 요철 형태의 패턴이 형성된 P3HT(Poly-3-hexylthiophene) 층;를 포함하는 전고상 광 감응형 태양전지. -
dc.description.claim 유리기판, 플루오린 틴 옥사이드(FTO) 전극 및 산화티탄(TiO2)층이 순차적으로 적층되고, 상기 산화티탄층에 흡착된 N719를 포함하는 광 전극부;상대전극부; 및상기 광 전극부 및 상기 상대전극부 사이에 구비되되, 상기 상대전극부와의 접합면에 삼각 요철 형태의 패턴이 형성된 P3HT(Poly-3-hexylthiophene) 층;를 포함하는 전고상 광 감응형 태양전지. -
dc.identifier.iprsType 특허 -
dc.contributor.affiliatedAuthor 김대환 -
dc.contributor.affiliatedAuthor 심교승 -
dc.contributor.affiliatedAuthor 성시준 -
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Division of Energy Technology 3. Patents

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