본 발명은 전도성 기판 위에 적층되며 금속산화물로 이루어진 n형 반도체층; 및 상기 n형 반도체층 위에 적층되며 도핑된 금속 산화물로 이루어진 p형 반도체층을 포함하는 염료감응 태양전지용 p-n 동종접합과 이의 제조방법 및 이를 포함한 염료감응 태양전지를 제공한다. 본 발명에 따르면 금속산화물층과 도핑된 금속산화물층 간의 p-n 동종접합을 제조할 수 있으며, 그 결과 포텐셜 드리프트를 통해 전자를 한 방향으로 흐르도록 할 수 있으므로 이를 염료감응 태양전지에 적용하면 전자재결합을 억제하여 전지의 효율을 향상시키는 효과가 있다.