Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이세근 | ko |
| dc.contributor.author | 도석주 | ko |
| dc.contributor.author | 이성준 | ko |
| dc.contributor.author | 김참 | ko |
| dc.contributor.author | 김호영 | ko |
| dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:49:45Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-11T12:49:45Z | - |
| dc.date.issued | 2006-08-18 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8849 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 전기화학장치용 산화물 반도체 전극의 제조방법에 관한 것으로, 특히 티타늄 전구체, 고분자 화합물, 및 용매의 혼합물을 산화물 도체가 코팅된 기판에 스핀코팅법으로 코팅하고, 열처리하여 산화물 반도체 전극을 제조함으로써 가정용 및 산업용 오염물질을 효율적으로 처리할 수 있으며, 화학적 내구성이 강하고, 제조가 매우 간단하며, 비용을 절감할 수 있는 전기화학장치용 산화물 반도체 전극의 제조방법에 관한 것이다. | - |
| dc.title | 전기화학장치용 산화물 반도체 전극의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | METHOD FOR PREPARING OF OXIDE SEMICONDUCTIVE ELECTRODE FOR ELECTROCHEMICAL DEVICE | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 도석주 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2006-0078372 | - |
| dc.date.application | 2006-08-18 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0744635 | - |
| dc.date.registration | 2007-07-25 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.description.claim | 산화물 도체가 코팅된 유리 기판에 티타늄 전구체, 고분자 화합물, 및 용매의 혼합물을 스핀코팅법으로 코팅하여 박막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 박막을 열처리하는 단계를 포함하는 전기화학장치용 산화물 반도체 전극의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 산화물 도체가 코팅된 유리 기판에 티타늄 전구체, 고분자 화합물, 및 용매의 혼합물을 스핀코팅법으로 코팅하여 박막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 박막을 열처리하는 단계를 포함하는 전기화학장치용 산화물 반도체 전극의 제조방법. | - |
| dc.description.claim | 산화물 도체가 코팅된 유리 기판에 티타늄 전구체, 고분자 화합물, 및 용매의 혼합물을 스핀코팅법으로 코팅하여 박막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 박막을 열처리하는 단계를 포함하는 전기화학장치용 산화물 반도체 전극의 제조방법. | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 이세근 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 이성준 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 김참 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 김호영 | - |
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