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dc.contributor.author 조귀정 ko
dc.contributor.author 김참 ko
dc.contributor.author 양유석 ko
dc.contributor.author 김기수 ko
dc.contributor.author 한윤수 ko
dc.contributor.author 정선주 ko
dc.date.accessioned 2018-07-11T12:51:15Z -
dc.date.available 2018-07-11T12:51:15Z -
dc.date.issued 2008-12-12 -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/8887 -
dc.description.abstract 고분자 화합물 및 그를 포함하는 태양전지가 개시된다. 고분자 화합물은 고분자 주쇄에 퍼릴렌테트라카르복시 디이미드계 화합물을 포함한다. 이러한 고분자 화합물은 태양전지 광활성층의 전자공여체 및 전자수용체 중에서 적어도 어느 하나로 이용될 수 있기 때문에 태양전지 광전변환효율이 향상될 수 있다. -
dc.title 고분자 화합물 및 그를 포함하는 태양전지 -
dc.title.alternative POLYMER AND SOLARCELL HAVING THE SAME -
dc.type Patent -
dc.type.rims PAT -
dc.contributor.nonIdAuthor 조귀정 -
dc.contributor.nonIdAuthor 양유석 -
dc.contributor.nonIdAuthor 김기수 -
dc.contributor.nonIdAuthor 한윤수 -
dc.contributor.nonIdAuthor 정선주 -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2008-0126336 -
dc.date.application 2008-12-12 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1012542 -
dc.date.registration 2011-01-26 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.description.claim 하기 화학식으로 표시되는 고분자 화합물.[이미지](상기 화학식에서,R은 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴에스테르기, 및 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴에스테르기로 이루어진 군으로부터 선택되고,R1 및 R2은 각각 독립적으로, 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 알콕시기, 헤테로알킬기, 시아노기, 니트로기, 아실기, 치환 또는 비치환 아미노기, 및 치환 또는 비치환 아릴기 중에서 선택되고,X는 C 또는 N이고,n은 1 내지 50,000의 정수이다.) -
dc.description.claim 하기 화학식으로 표시되는 고분자 화합물.[이미지](상기 화학식에서,R은 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴에스테르기, 및 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴에스테르기로 이루어진 군으로부터 선택되고,R1 및 R2은 각각 독립적으로, 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 알콕시기, 헤테로알킬기, 시아노기, 니트로기, 아실기, 치환 또는 비치환 아미노기, 및 치환 또는 비치환 아릴기 중에서 선택되고,X는 C 또는 N이고,n은 1 내지 50,000의 정수이다.) -
dc.description.claim 하기 화학식으로 표시되는 고분자 화합물.[이미지](상기 화학식에서,R은 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴에스테르기, 및 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴에스테르기로 이루어진 군으로부터 선택되고,R1 및 R2은 각각 독립적으로, 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 알콕시기, 헤테로알킬기, 시아노기, 니트로기, 아실기, 치환 또는 비치환 아미노기, 및 치환 또는 비치환 아릴기 중에서 선택되고,X는 C 또는 N이고,n은 1 내지 50,000의 정수이다.) -
dc.description.claim 하기 화학식으로 표시되는 고분자 화합물.[이미지](상기 화학식에서,R은 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴에스테르기, 및 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴에스테르기로 이루어진 군으로부터 선택되고,R1 및 R2은 각각 독립적으로, 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 알콕시기, 헤테로알킬기, 시아노기, 니트로기, 아실기, 치환 또는 비치환 아미노기, 및 치환 또는 비치환 아릴기 중에서 선택되고,X는 C 또는 N이고,n은 1 내지 50,000의 정수이다.) -
dc.description.claim 하기 화학식으로 표시되는 고분자 화합물.[이미지](상기 화학식에서,R은 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴에스테르기, 및 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴에스테르기로 이루어진 군으로부터 선택되고,R1 및 R2은 각각 독립적으로, 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 알콕시기, 헤테로알킬기, 시아노기, 니트로기, 아실기, 치환 또는 비치환 아미노기, 및 치환 또는 비치환 아릴기 중에서 선택되고,X는 C 또는 N이고,n은 1 내지 50,000의 정수이다.) -
dc.identifier.iprsType 특허 -
dc.contributor.affiliatedAuthor 김참 -
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Magnet-Controlled Materials Research Group 3. Patents

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