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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 류홍근 | ko |
| dc.contributor.author | 전원배 | ko |
| dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:53:02Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-11T12:53:02Z | - |
| dc.date.issued | 2007-10-19 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8938 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 FET형 바이오센서에 관한 것이다. 상기 FET형 바이오센서는, 소스, 드레인, 게이트 영역이 형성된 반도체 기판, 상기 소스, 상기 드레인, 상기 게이트 전극과 각각 연결되는 다수 개의 금속 배선층, 상기 게이트 전극과 상기 금속 배선층들 간의 전기적 절연을 위하여 형성되는 절연층, 소자를 보호하기 위하여 상기 절연층의 표면에 형성하는 소자 보호막, 상기 소자 보호막 및 상기 절연층을 개재하여 상기 게이트 전극의 상부에 형성되는 금속 박막, 상기 금속 박막위에 형성되는 자기조립 단분자막을 구비한다. 상기 금속 박막과 상기 게이트 전극의 사이의 절연층 및 소자 보호막에 하나 또는 다수개의 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀의 내부에는 전기전도성 물질을 충진하여 상기 금속 박막과 상기 게이트 전극을 전기적 연결시킨다. | - |
| dc.title | 전계효과트랜지스터를 이용한 바이오센서 | - |
| dc.title.alternative | Biosensor using a field effect transistor | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 류홍근. (2007-10-19). 전계효과트랜지스터를 이용한 바이오센서. | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2007-0105316 | - |
| dc.date.application | 2007-10-19 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0903526 | - |
| dc.date.registration | 2009-06-11 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.description.claim | 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 소정 영역에 형성된 소스와 드레인; 상기 반도체 기판의 상부 표면에 형성되되 상기 소스와 드레인의 사이에 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막의 상부에 다결정실리콘막으로 형성되는 게이트 전극; 상기 소스, 상기 드레인, 상기 게이트 전극과 각각 연결되는 다수 개의 금속 배선층; 상기 게이트 전극과 상기 금속 배선층들 간의 전기적 절연을 위하여 형성되는 절연층; 소자를 보호하기 위하여 상기 절연층의 표면에 형성하는 소자 보호막; 상기 소자 보호막 및 상기 절연층을 개재하여 상기 게이트 전극의 상부에 형성되는 금속 박막; 상기 금속 박막위에 형성되는 자기조립 단분자막; 및 상기 금속 박막이 상기 소자 보호막의 표면에 대한 접착력을 증가시키기 위하여 상기 소자보호막과 상기 금속 박막의 사이에 형성되는 접착력 향상용 금속박막;을 더 구비하고, 을 구비하며, 상기 금속 박막과 상기 게이트 전극의 사이의 절연층 및 소자 보호막에 하나 또는 다수개의 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀의 내부에는 전기전도성 물질을 충진하여 상기 금속 박막과 상기 게이트 전극을 전기적 연결시키는 것을 특징으로 하는 FET형 바이오센서. | - |
| dc.description.claim | 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 소정 영역에 형성된 소스와 드레인; 상기 반도체 기판의 상부 표면에 형성되되 상기 소스와 드레인의 사이에 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막의 상부에 다결정실리콘막으로 형성되는 게이트 전극; 상기 소스, 상기 드레인, 상기 게이트 전극과 각각 연결되는 다수 개의 금속 배선층; 상기 게이트 전극과 상기 금속 배선층들 간의 전기적 절연을 위하여 형성되는 절연층; 소자를 보호하기 위하여 상기 절연층의 표면에 형성하는 소자 보호막; 상기 소자 보호막 및 상기 절연층을 개재하여 상기 게이트 전극의 상부에 형성되는 금속 박막; 상기 금속 박막위에 형성되는 자기조립 단분자막; 및 상기 금속 박막이 상기 소자 보호막의 표면에 대한 접착력을 증가시키기 위하여 상기 소자보호막과 상기 금속 박막의 사이에 형성되는 접착력 향상용 금속박막;을 더 구비하고, 을 구비하며, 상기 금속 박막과 상기 게이트 전극의 사이의 절연층 및 소자 보호막에 하나 또는 다수개의 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀의 내부에는 전기전도성 물질을 충진하여 상기 금속 박막과 상기 게이트 전극을 전기적 연결시키는 것을 특징으로 하는 FET형 바이오센서. | - |
| dc.description.claim | 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 소정 영역에 형성된 소스와 드레인; 상기 반도체 기판의 상부 표면에 형성되되 상기 소스와 드레인의 사이에 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막의 상부에 다결정실리콘막으로 형성되는 게이트 전극; 상기 소스, 상기 드레인, 상기 게이트 전극과 각각 연결되는 다수 개의 금속 배선층; 상기 게이트 전극과 상기 금속 배선층들 간의 전기적 절연을 위하여 형성되는 절연층; 소자를 보호하기 위하여 상기 절연층의 표면에 형성하는 소자 보호막; 상기 소자 보호막 및 상기 절연층을 개재하여 상기 게이트 전극의 상부에 형성되는 금속 박막; 상기 금속 박막위에 형성되는 자기조립 단분자막; 및 상기 금속 박막이 상기 소자 보호막의 표면에 대한 접착력을 증가시키기 위하여 상기 소자보호막과 상기 금속 박막의 사이에 형성되는 접착력 향상용 금속박막;을 더 구비하고, 을 구비하며, 상기 금속 박막과 상기 게이트 전극의 사이의 절연층 및 소자 보호막에 하나 또는 다수개의 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀의 내부에는 전기전도성 물질을 충진하여 상기 금속 박막과 상기 게이트 전극을 전기적 연결시키는 것을 특징으로 하는 FET형 바이오센서. | - |
| dc.description.claim | 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 소정 영역에 형성된 소스와 드레인; 상기 반도체 기판의 상부 표면에 형성되되 상기 소스와 드레인의 사이에 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막의 상부에 다결정실리콘막으로 형성되는 게이트 전극; 상기 소스, 상기 드레인, 상기 게이트 전극과 각각 연결되는 다수 개의 금속 배선층; 상기 게이트 전극과 상기 금속 배선층들 간의 전기적 절연을 위하여 형성되는 절연층; 소자를 보호하기 위하여 상기 절연층의 표면에 형성하는 소자 보호막; 상기 소자 보호막 및 상기 절연층을 개재하여 상기 게이트 전극의 상부에 형성되는 금속 박막; 상기 금속 박막위에 형성되는 자기조립 단분자막; 및 상기 금속 박막이 상기 소자 보호막의 표면에 대한 접착력을 증가시키기 위하여 상기 소자보호막과 상기 금속 박막의 사이에 형성되는 접착력 향상용 금속박막;을 더 구비하고, 을 구비하며, 상기 금속 박막과 상기 게이트 전극의 사이의 절연층 및 소자 보호막에 하나 또는 다수개의 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀의 내부에는 전기전도성 물질을 충진하여 상기 금속 박막과 상기 게이트 전극을 전기적 연결시키는 것을 특징으로 하는 FET형 바이오센서. | - |
| dc.description.claim | 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 소정 영역에 형성된 소스와 드레인; 상기 반도체 기판의 상부 표면에 형성되되 상기 소스와 드레인의 사이에 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막의 상부에 다결정실리콘막으로 형성되는 게이트 전극; 상기 소스, 상기 드레인, 상기 게이트 전극과 각각 연결되는 다수 개의 금속 배선층; 상기 게이트 전극과 상기 금속 배선층들 간의 전기적 절연을 위하여 형성되는 절연층; 소자를 보호하기 위하여 상기 절연층의 표면에 형성하는 소자 보호막; 상기 소자 보호막 및 상기 절연층을 개재하여 상기 게이트 전극의 상부에 형성되는 금속 박막; 상기 금속 박막위에 형성되는 자기조립 단분자막; 및 상기 금속 박막이 상기 소자 보호막의 표면에 대한 접착력을 증가시키기 위하여 상기 소자보호막과 상기 금속 박막의 사이에 형성되는 접착력 향상용 금속박막;을 더 구비하고, 을 구비하며, 상기 금속 박막과 상기 게이트 전극의 사이의 절연층 및 소자 보호막에 하나 또는 다수개의 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀의 내부에는 전기전도성 물질을 충진하여 상기 금속 박막과 상기 게이트 전극을 전기적 연결시키는 것을 특징으로 하는 FET형 바이오센서. | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 류홍근 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 전원배 | - |
