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반도체 소자 제조방법

Title
반도체 소자 제조방법
Translated Title
MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
Inventors
서재화장환수조민수강인만
Country
KO
Application Date
2018-04-18
Application No.
10-2018-0044926
Registration Date
2019-11-11
Registration No.
10-2045321
Assignee
경북대학교 산학협력단(80/80),(재)대구경북과학기술원(20/20)
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/11173
https://doi.org/10.8080/1020180044926 [KIPRIS]
Abstract
반도체 소자 제조방법이 개시된다. 본 반도체 소자 제조방법은, 반도체층을 마련하는 단계, 반도체층을 식각하여, 소스 구조, 드레인 구조 및 소스 구조와 드레인 구조를 연결하는 복수의 채널 구조를 형성하는 단계, 복수의 채널 구조를 덮도록 레지스트를 형성하는 단계, 레지스트에, 게이트 풋 패터닝 및 게이트 헤드 패터닝을 위한 전자빔 노광 공정을 수행하는 단계, 전자빔 노광 공정에 의해 노광된 부분을 제거하여 게이트 풋 패턴과 게이트 헤드 패턴을 형성하는 단계, 게이트 풋 패턴과 게이트 헤드 패턴에 게이트 물질을 증착하는 단계 및 레지스트를 제거하는 단계를 포함한다.
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