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블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스 및 제조 방법

Title
블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스 및 제조 방법
Translated Title
MEMORY DEVICE BY USING BLOCH-POINT STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Inventors
한희성이기석임미영홍정일
DGIST Inventors
홍정일
Country
KO
Application Date
2017-10-13
Application No.
10-2017-0133199
Registration Date
2019-05-02
Registration No.
10-1976791
Assignee
(재)대구경북과학기술원(50/50),울산과학기술원(50/50)
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/11357
https://doi.org/10.8080/1020170133199 [KIPRIS]
Abstract
본 발명에 따른 블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스는, 블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스에 있어서, 소정 패턴 구조의 제 1 강자성층(ferromagnetic layer)과, 상기 제 1 강자성층 상에 형성된 비자성층(non-magnetic layer)과, 상기 제 1 강자성층과 상기 비자성층을 매립하는 형태로 수평하게 형성되어 상기 비자성층의 상부를 노출시키는 제 1 반강자성층(antiferromagnetic layer)과, 상기 비자성층과 상기 제 1 반강자성층 상에 형성된 제 2 강자성층과, 상기 제 2 강자성층 상에 형성된 제 2 반강자성층을 포함하고, 상기 메모리 디바이스는, 상기 제 1 강자성층과 상기 비자성층의 상부가 제 1 영역으로 구획되고, 상기 제 1 영역을 제외한 나머지 상부가 제 2 영역으로 구획될 수 있다.
Related Researcher
  • Author Hong, Jung-Il Spin Nanotech Laboratory
  • Research Interests Electric and Magnetic Properties of Nanostructured Materials; Spintronics
Files:
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Collection:
Department of Emerging Materials ScienceSpin Nanotech Laboratory3. Patents


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